SPW55N80C3FKSA1
참조 용
| 부품 번호 | SPW55N80C3FKSA1 |
| PNEDA 부품 번호 | SPW55N80C3FKSA1 |
| 설명 | MOSFET N-CH 800V 54.9A TO-247 |
| 제조업체 | Infineon Technologies |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 8,760 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 7월 17 - 7월 22 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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SPW55N80C3FKSA1 리소스
| 브랜드 | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | SPW55N80C3FKSA1 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-단일 |
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SPW55N80C3FKSA1 사양
| 제조업체 | Infineon Technologies |
| 시리즈 | CoolMOS™ C3 |
| FET 유형 | N-Channel |
| 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 800V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 54.9A (Tc) |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 85mOhm @ 32.6A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 3.9V @ 3.3mA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 288nC @ 10V |
| Vgs (최대) | ±20V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 7520pF @ 100V |
| FET 기능 | - |
| 전력 손실 (최대) | 500W (Tc) |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Through Hole |
| 공급자 장치 패키지 | PG-TO247-3 |
| 패키지 / 케이스 | TO-247-3 |
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제조업체 Alpha & Omega Semiconductor Inc. 시리즈 aMOS™ FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 20A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 199mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 4.1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 19.8nC @ 10V Vgs (최대) ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1038pF @ 100V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 37.8W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 공급자 장치 패키지 TO-220-3F 패키지 / 케이스 TO-220-3 Full Pack |
제조업체 IXYS 시리즈 HiPerFET™, PolarP2™ FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 200A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 7.5mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 5V @ 8mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 235nC @ 10V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 7600pF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 830W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 공급자 장치 패키지 PLUS247™-3 패키지 / 케이스 TO-247-3 |
