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SP8M7FU6TB

SP8M7FU6TB

참조 용

부품 번호 SP8M7FU6TB
PNEDA 부품 번호 SP8M7FU6TB
설명 MOSFET N/P-CH 30V 5A/7A 8SOIC
제조업체 Rohm Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 7,902
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 6월 14 - 6월 19 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

SP8M7FU6TB 리소스

브랜드 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호SP8M7FU6TB
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
SP8M7FU6TB, SP8M7FU6TB 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 77.13 KB)
PDFSP8M7FU6TB 데이터 시트 표지
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  • SP8M7FU6TB Distributor

SP8M7FU6TB 사양

제조업체Rohm Semiconductor
시리즈-
FET 유형N and P-Channel
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)5A, 7A
Rds On (최대) @ Id, Vgs51mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id2.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs5.5nC @ 5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds230pF @ 10V
전력-최대2W
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지8-SOP

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제조업체

ON Semiconductor

시리즈

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

12A, 17A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

7.5mOhm @ 12A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

28nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1750pF @ 15V

전력-최대

1W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-PowerWDFN

공급자 장치 패키지

Power56

APTM120A80FT1G

Microsemi

제조업체

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시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Half Bridge)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

1200V (1.2kV)

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

14A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

960mOhm @ 12A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 2.5mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

260nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

6696pF @ 25V

전력-최대

357W

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

SP1

공급자 장치 패키지

SP1

CSD87588NT

Texas Instruments

제조업체

시리즈

NexFET™

FET 유형

2 N-Channel (Half Bridge)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

25A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

9.6mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.9V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

4.1nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

736pF @ 15V

전력-최대

6W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

5-LGA

공급자 장치 패키지

5-PTAB (5x3.5)

NX3020NAKV,115

Nexperia

제조업체

Nexperia USA Inc.

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

200mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

4.5Ohm @ 100mA, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

0.44nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

13pF @ 10V

전력-최대

375mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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Diodes Incorporated

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FET 유형

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FET 기능

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드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

11.1A (Ta), 42A (Tc)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

15mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

10.6nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

805pF @ 20V

전력-최대

2.6W (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

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Surface Mount

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