SP8M10FU6TB
참조 용
| 부품 번호 | SP8M10FU6TB |
| PNEDA 부품 번호 | SP8M10FU6TB |
| 설명 | MOSFET N/P-CH 30V 7A/4.5A 8SOIC |
| 제조업체 | Rohm Semiconductor |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 8,622 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 7월 19 - 7월 24 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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SP8M10FU6TB 리소스
| 브랜드 | Rohm Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | SP8M10FU6TB |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
| 데이터 시트 |
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SP8M10FU6TB 사양
| 제조업체 | Rohm Semiconductor |
| 시리즈 | - |
| FET 유형 | N and P-Channel |
| FET 기능 | Logic Level Gate |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 30V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 7A, 4.5A |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 24mOhm @ 7A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 2.5V @ 1mA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 11.8nC @ 5V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 600pF @ 10V |
| 전력-최대 | 2W |
| 작동 온도 | 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| 공급자 장치 패키지 | 8-SOP |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Vishay Siliconix 시리즈 TrenchFET® FET 유형 N and P-Channel FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 2.5A, 1.7A Rds On (최대) @ Id, Vgs 77mOhm @ 3A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 4.5nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds - 전력-최대 830mW 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 공급자 장치 패키지 6-TSOP |
제조업체 Vishay Siliconix 시리즈 TrenchFET® FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 5.2A (Ta), 6.1A (Tc) Rds On (최대) @ Id, Vgs 40.9mOhm @ 5.2A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 10nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 350pF @ 30V 전력-최대 2W (Ta), 2.8W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SO |
제조업체 Vishay Siliconix 시리즈 TrenchFET® FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 6.5A Rds On (최대) @ Id, Vgs 35.5mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 12nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 445pF @ 15V 전력-최대 2.7W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SO |
제조업체 Infineon Technologies 시리즈 HEXFET® FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 4.9A Rds On (최대) @ Id, Vgs 50mOhm @ 2.4A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 25nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 520pF @ 25V 전력-최대 2W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SO |
제조업체 Diodes Incorporated 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 4.7A Rds On (최대) @ Id, Vgs 40mOhm @ 4.2A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 1.4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 15nC @ 8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 713pF @ 10V 전력-최대 1.4W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 6-UDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지 U-DFN2020-6 (Type B) |
