SN75452BDRG4
참조 용
| 부품 번호 | SN75452BDRG4 |
| PNEDA 부품 번호 | SN75452BDRG4 |
| 설명 | IC DUAL PERIPHERAL DRVR 8-SOIC |
| 제조업체 | Texas Instruments |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 5,436 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 6월 16 - 6월 21 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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SN75452BDRG4 리소스
| 브랜드 | Texas Instruments |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | SN75452BDRG4 |
| 분류 | 반도체 › 전력 관리 IC › PMIC-게이트 드라이버 |
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SN75452BDRG4 사양
| 제조업체 | |
| 시리즈 | - |
| 구동 구성 | Low-Side |
| 채널 유형 | Independent |
| 드라이버 수 | 2 |
| 게이트 유형 | N-Channel, P-Channel MOSFET |
| 전압-공급 | 4.75V ~ 5.25V |
| 논리 전압-VIL, VIH | 0.8V, 2V |
| 전류-피크 출력 (소스, 싱크) | 500mA, 500mA |
| 입력 유형 | Non-Inverting |
| 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩) | - |
| 상승 / 하강 시간 (일반) | 5ns, 7ns |
| 작동 온도 | 0°C ~ 70°C (TA) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| 공급자 장치 패키지 | 8-SOIC |
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제조업체 pSemi 시리즈 - 구동 구성 Half-Bridge 채널 유형 Synchronous 드라이버 수 2 게이트 유형 N-Channel MOSFET 전압-공급 4V ~ 5.5V 논리 전압-VIL, VIH - 전류-피크 출력 (소스, 싱크) 2A, 4A 입력 유형 - 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩) 100V 상승 / 하강 시간 (일반) 2.5ns, 2.5ns 작동 온도 -40°C ~ 125°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 Die 공급자 장치 패키지 Die |
제조업체 Infineon Technologies 시리즈 - 구동 구성 Low-Side 채널 유형 Single 드라이버 수 1 게이트 유형 N-Channel MOSFET 전압-공급 4V ~ 5.25V 논리 전압-VIL, VIH - 전류-피크 출력 (소스, 싱크) 4A, 4A 입력 유형 Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩) - 상승 / 하강 시간 (일반) 20ns, 20ns 작동 온도 -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 20-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지 20-DIP |
제조업체 Richtek USA Inc. 시리즈 - 구동 구성 Half-Bridge 채널 유형 Synchronous 드라이버 수 2 게이트 유형 N-Channel MOSFET 전압-공급 4.5V ~ 13.2V 논리 전압-VIL, VIH 0.7V, 3.2V 전류-피크 출력 (소스, 싱크) - 입력 유형 Inverting, Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩) 15V 상승 / 하강 시간 (일반) 25ns, 12ns 작동 온도 -40°C ~ 125°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-WDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지 8-WDFN (3x3) |
