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SMMBFJ310LT3G

SMMBFJ310LT3G

참조 용

부품 번호 SMMBFJ310LT3G
PNEDA 부품 번호 SMMBFJ310LT3G
설명 RF MOSFET N-CH JFET 10V SOT23
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 105,648
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 6월 30 - 7월 5 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

SMMBFJ310LT3G 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호SMMBFJ310LT3G
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
SMMBFJ310LT3G, SMMBFJ310LT3G 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 179.84 KB)
PDFMMBFJ310LT1 데이터 시트 표지
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SMMBFJ310LT3G 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈Automotive, AEC-Q101
트랜지스터 유형N-Channel JFET
주파수-
이득12dB
전압-테스트10V
전류 정격 (Amps)60mA
소음 수치-
현재-테스트10mA
전원-출력-
전압-정격25V
패키지 / 케이스TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지SOT-23-3 (TO-236)

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전원-출력

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공급자 장치 패키지

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ARF461CG

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시리즈

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주파수

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이득

15dB

전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

25µA

소음 수치

-

현재-테스트

-

전원-출력

150W

전압-정격

1000V

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

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트랜지스터 유형

LDMOS (Dual)

주파수

1.88GHz ~ 1.91GHz

이득

17.8dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

500mA

전원-출력

24W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

OM-780G-4L

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

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트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

450MHz

이득

22dB

전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

900mA

전원-출력

300W

전압-정격

110V

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

TO-272 WB-4

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