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SLA5061

SLA5061

참조 용

부품 번호 SLA5061
PNEDA 부품 번호 SLA5061
설명 MOSFET 3N/3P-CH 60V 10A/6A 12SIP
제조업체 Sanken
단가
1 ---------- $11.0796
100 ---------- $10.5602
250 ---------- $10.0408
500 ---------- $9.5215
750 ---------- $9.0887
1,000 ---------- $8.6559
재고 있음 2,354
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SLA5061 리소스

브랜드 Sanken
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호SLA5061
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
SLA5061, SLA5061 데이터 시트 (총 페이지: 3, 크기: 397.93 KB)
PDFSLA5061 데이터 시트 표지
SLA5061 데이터 시트 페이지 2 SLA5061 데이터 시트 페이지 3

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SLA5061 사양

제조업체Sanken
시리즈-
FET 유형3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge)
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)10A, 6A
Rds On (최대) @ Id, Vgs140mOhm @ 5A, 4V
Vgs (th) (최대) @ Id-
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs-
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds460pF @ 10V
전력-최대5W
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스12-SIP
공급자 장치 패키지12-SIP w/fin

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드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3.5A (Ta)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

120mOhm @ 3.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

5.2nC @ 5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

250pF @ 10V

전력-최대

2W

작동 온도

150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOP

SIZ914DT-T1-GE3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

TrenchFET®

FET 유형

2 N-Channel (Half Bridge)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

16A, 40A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

6.4mOhm @ 19A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

26nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1208pF @ 15V

전력-최대

22.7W, 100W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-PowerWDFN

공급자 장치 패키지

8-PowerPair®

SI4563DY-T1-E3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

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TrenchFET®

FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

8A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

16mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

85nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2390pF @ 20V

전력-최대

3.25W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SO

ECH8660-TL-H

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4.5A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

59mOhm @ 2A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

4.4nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

240pF @ 10V

전력-최대

1.5W

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SMD, Flat Lead

공급자 장치 패키지

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Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2.9A, 3.2A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

80mOhm @ 2.9A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

2.3nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

165pF @ 10V

전력-최대

1.1W

작동 온도

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