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SK18E3/TR13

SK18E3/TR13

참조 용

부품 번호 SK18E3/TR13
PNEDA 부품 번호 SK18E3-TR13
설명 DIODE SCHOTTKY 80V 1A DO214AA
제조업체 Microsemi
단가 견적 요청
재고 있음 5,364
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 7월 25 - 7월 30 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

SK18E3/TR13 리소스

브랜드 Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호SK18E3/TR13
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글
데이터 시트
SK18E3/TR13, SK18E3/TR13 데이터 시트 (총 페이지: 3, 크기: 35.22 KB)
PDFSK19E3/TR13 데이터 시트 표지
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SK18E3/TR13 사양

제조업체Microsemi Corporation
시리즈-
다이오드 유형Schottky
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)80V
전류-평균 정류 (Io)1A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If800mV @ 1A
속도Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)-
전류-역방향 누설 @ Vr500µA @ 80V
커패시턴스 @ Vr, F-
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스DO-214AA, SMB
공급자 장치 패키지DO-214AA (SMBJ)
작동 온도-접합-65°C ~ 175°C

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제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

40V

전류-평균 정류 (Io)

4A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

650mV @ 4A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

800µA @ 40V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-PowerTDFN, 5 Leads

공급자 장치 패키지

5-DFN (5x6) (8-SOFL)

작동 온도-접합

-55°C ~ 175°C

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제조업체

GeneSiC Semiconductor

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

1600V

전류-평균 정류 (Io)

165A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.5V @ 60A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

22mA @ 1600V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Chassis, Stud Mount

패키지 / 케이스

DO-205AA, DO-8, Stud

공급자 장치 패키지

DO-205AA (DO-8)

작동 온도-접합

-40°C ~ 180°C

MBR1650 C0G

Taiwan Semiconductor Corporation

제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

50V

전류-평균 정류 (Io)

16A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

750mV @ 16A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

500µA @ 50V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-2

공급자 장치 패키지

TO-220AC

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

IDK06G65C5XTMA2

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

CoolSiC™+

다이오드 유형

Silicon Carbide Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

650V

전류-평균 정류 (Io)

6A (DC)

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.8V @ 6A

속도

No Recovery Time > 500mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

0ns

전류-역방향 누설 @ Vr

1.1mA @ 650V

커패시턴스 @ Vr, F

190pF @ 1V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

PG-TO263-2

작동 온도-접합

-55°C ~ 175°C

VS-HFA30PB120PBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

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다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

1200V

전류-평균 정류 (Io)

30A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

4.1V @ 30A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

170ns

전류-역방향 누설 @ Vr

40µA @ 1200V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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