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SIZ916DT-T1-GE3

SIZ916DT-T1-GE3

참조 용

부품 번호 SIZ916DT-T1-GE3
PNEDA 부품 번호 SIZ916DT-T1-GE3
설명 MOSFET 2N-CH 30V 16A POWERPAIR
제조업체 Vishay Siliconix
단가 견적 요청
재고 있음 8,928
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 3 - 11월 8 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

SIZ916DT-T1-GE3 리소스

브랜드 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호SIZ916DT-T1-GE3
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
SIZ916DT-T1-GE3, SIZ916DT-T1-GE3 데이터 시트 (총 페이지: 14, 크기: 227.85 KB)
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  • SIZ916DT-T1-GE3 Distributor

SIZ916DT-T1-GE3 사양

제조업체Vishay Siliconix
시리즈TrenchFET®
FET 유형2 N-Channel (Half Bridge)
FET 기능Standard
드레인-소스 전압 (Vdss)30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)16A, 40A
Rds On (최대) @ Id, Vgs6.4mOhm @ 19A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id2.4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs26nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds1208pF @ 15V
전력-최대22.7W, 100W
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-PowerWDFN
공급자 장치 패키지8-PowerPair® (6x5)

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드레인-소스 전압 (Vdss)

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

56mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

10.5nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

540pF @ 30V

전력-최대

2W

작동 온도

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Surface Mount

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시리즈

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4.5A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

65mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

12.4nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

330pF @ 25V

전력-최대

3W

작동 온도

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장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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시리즈

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FET 유형

-

FET 기능

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드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

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제조업체

ON Semiconductor

시리즈

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

6A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

29mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

11nC @ 5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

955pF @ 20V

전력-최대

2W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

SIZ790DT-T1-GE3

Vishay Siliconix

제조업체

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FET 유형

2 N-Channel (Half Bridge)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

16A, 35A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

9.3mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

24nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

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