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SIR608DP-T1-RE3

SIR608DP-T1-RE3

참조 용

부품 번호 SIR608DP-T1-RE3
PNEDA 부품 번호 SIR608DP-T1-RE3
설명 MOSFET N-CHAN 45V POWERPAK SO-8
제조업체 Vishay Siliconix
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SIR608DP-T1-RE3 리소스

브랜드 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호SIR608DP-T1-RE3
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
SIR608DP-T1-RE3, SIR608DP-T1-RE3 데이터 시트 (총 페이지: 9, 크기: 243.01 KB)
PDFSIR608DP-T1-RE3 데이터 시트 표지
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  • SIR608DP-T1-RE3 Distributor

SIR608DP-T1-RE3 사양

제조업체Vishay Siliconix
시리즈TrenchFET® Gen IV
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)45V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)51A (Ta), 208A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs1.2mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id2.3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs167nC @ 10V
Vgs (최대)+20V, -16V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds8900pF @ 20V
FET 기능-
전력 손실 (최대)6.25W (Ta), 104W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지PowerPAK® SO-8
패키지 / 케이스PowerPAK® SO-8

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ON Semiconductor

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40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

28A (Ta), 120A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

2.5mOhm @ 80A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

280nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

15000pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

300W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

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패키지 / 케이스

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제조업체

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시리즈

-

FET 유형

-

기술

-

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

Vgs (최대)

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

-

장착 유형

-

공급자 장치 패키지

-

패키지 / 케이스

-

PSMN3R7-100BSEJ

Nexperia

제조업체

Nexperia USA Inc.

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

120A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

3.95mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

246nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

16370pF @ 50V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

405W (Ta)

작동 온도

175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

D2PAK

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

NVMFS5C410NLAFT1G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

Automotive, AEC-Q101

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

50A (Ta), 330A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

0.82mOhm @ 50A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

143nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

8862pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

3.8W (Ta), 167W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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650V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2.5A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

2.51Ohm @ 1.3A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4.4V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

11nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

490pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

35W (Tc)

작동 온도

150°C (TJ)

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