Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
수백만 개의 전자 부품 재고 있음. 24 시간 이내에 가격 및 리드 타임 견적.

SIR158DP-T1-RE3

SIR158DP-T1-RE3

참조 용

부품 번호 SIR158DP-T1-RE3
PNEDA 부품 번호 SIR158DP-T1-RE3
설명 MOSFET N-CH 30V 60A POWERPAKSO-8
제조업체 Vishay Siliconix
단가 견적 요청
재고 있음 5,490
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 6월 15 - 6월 20 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

SIR158DP-T1-RE3 리소스

브랜드 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호SIR158DP-T1-RE3
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
SIR158DP-T1-RE3, SIR158DP-T1-RE3 데이터 시트 (총 페이지: 13, 크기: 382.69 KB)
PDFSIR158DP-T1-GE3 데이터 시트 표지
SIR158DP-T1-GE3 데이터 시트 페이지 2 SIR158DP-T1-GE3 데이터 시트 페이지 3 SIR158DP-T1-GE3 데이터 시트 페이지 4 SIR158DP-T1-GE3 데이터 시트 페이지 5 SIR158DP-T1-GE3 데이터 시트 페이지 6 SIR158DP-T1-GE3 데이터 시트 페이지 7 SIR158DP-T1-GE3 데이터 시트 페이지 8 SIR158DP-T1-GE3 데이터 시트 페이지 9 SIR158DP-T1-GE3 데이터 시트 페이지 10 SIR158DP-T1-GE3 데이터 시트 페이지 11

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

PNEDA는 고품질 전자 부품을 고객에게 빠르고 안정적으로 공급함으로써 업계 리더가되기 위해 노력하고 있습니다.

우리의 접근 방식은 고객에게 다음과 같은 세 가지 주요 이점을 입증하는 데 기반을두고 있습니다.

  • 신속한 대응

    저희 팀은 귀하의 요청에 신속하게 응답하고 귀하의 부품을 찾기 위해 즉시 작업을 시작합니다.

  • 보장 된 품질

    당사의 품질 관리 프로세스는 신뢰성과 성능을 보장하면서 위조품을 보호합니다.

  • 글로벌 액세스

    전 세계적으로 신뢰할 수있는 리소스 네트워크를 통해 필요한 특정 부품을 찾아 제공 할 수 있습니다.

Hot search vocabulary

  • SIR158DP-T1-RE3 Datasheet
  • where to find SIR158DP-T1-RE3
  • Vishay Siliconix

  • Vishay Siliconix SIR158DP-T1-RE3
  • SIR158DP-T1-RE3 PDF Datasheet
  • SIR158DP-T1-RE3 Stock

  • SIR158DP-T1-RE3 Pinout
  • Datasheet SIR158DP-T1-RE3
  • SIR158DP-T1-RE3 Supplier

  • Vishay Siliconix Distributor
  • SIR158DP-T1-RE3 Price
  • SIR158DP-T1-RE3 Distributor

SIR158DP-T1-RE3 사양

제조업체Vishay Siliconix
시리즈TrenchFET® Gen III
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)60A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs1.8mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs130nC @ 10V
Vgs (최대)±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds4980pF @ 15V
FET 기능-
전력 손실 (최대)83W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지PowerPAK® SO-8
패키지 / 케이스PowerPAK® SO-8

관심을 가질만한 제품

AON2240

Alpha & Omega Semiconductor

제조업체

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

8A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

21mOhm @ 8A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

12nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

415pF @ 20V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

2.8W (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

6-DFN-EP (2x2)

패키지 / 케이스

6-UDFN Exposed Pad

CDM22011-600LRFP SL

Central Semiconductor Corp

제조업체

Central Semiconductor Corp

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

600V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

11A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

360mOhm @ 5.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

23.05nC @ 10V

Vgs (최대)

30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

763pF @ 100V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

25W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-220FP

패키지 / 케이스

TO-220-3 Full Pack

SSM3J372R,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

U-MOSVI

FET 유형

P-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

6A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

1.8V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

42mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.2V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

8.2nC @ 4.5V

Vgs (최대)

+12V, -6V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

560pF @ 15V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

1W (Ta)

작동 온도

150°C

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

SOT-23F

패키지 / 케이스

SOT-23-3 Flat Leads

AOD4185L_003

Alpha & Omega Semiconductor

제조업체

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

시리즈

-

FET 유형

P-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

40A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

15mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

18.6nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2550pF @ 20V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

62.5W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

TO-252, (D-Pak)

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

APTC60SKM24T1G

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

CoolMOS™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

600V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

95A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

24mOhm @ 47.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3.9V @ 5mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

300nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

14400pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

462W (Tc)

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

공급자 장치 패키지

SP1

패키지 / 케이스

SP1

최근 판매

4608X-102-471LF

4608X-102-471LF

Bourns

RES ARRAY 4 RES 470 OHM 8SIP

CAT24C256WI-GT3

CAT24C256WI-GT3

ON Semiconductor

IC EEPROM 256K I2C 1MHZ 8SOIC

LTC4416IMS-1#PBF

LTC4416IMS-1#PBF

Linear Technology/Analog Devices

IC OR CTRLR SRC SELECT 10MSOP

PS2801C-4-A

PS2801C-4-A

CEL

OPTOISO 2.5KV 4CH TRANS 16SSOP

PIC12F629-I/SN

PIC12F629-I/SN

Microchip Technology

IC MCU 8BIT 1.75KB FLASH 8SOIC

PZTA92

PZTA92

ON Semiconductor

TRANS PNP 300V 0.5A SOT-223

EPC2032

EPC2032

EPC

GANFET TRANS 100V 48A BUMPED DIE

MC68HC908GP32CFB

MC68HC908GP32CFB

NXP

IC MCU 8BIT 32KB FLASH 44QFP

JS28F128J3D75A

JS28F128J3D75A

Micron Technology Inc.

IC FLASH 128M PARALLEL 56TSOP

M74HC42B1R

M74HC42B1R

STMicroelectronics

IC DECODER BCD TO DECIMAL 16-DIP

TCMT4100

TCMT4100

Vishay Semiconductor Opto Division

OPTOISO 3.75KV 4CH TRANS 16-SOP

PMEG4010EH,115

PMEG4010EH,115

Nexperia

DIODE SCHOTTKY 40V 1A SOD123F