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SI8275DB-IM1

SI8275DB-IM1

참조 용

부품 번호 SI8275DB-IM1
PNEDA 부품 번호 SI8275DB-IM1
설명 4A 2.5 KV HIGH CMTI DUAL GATE DR
제조업체 Silicon Labs
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SI8275DB-IM1 리소스

브랜드 Silicon Labs
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호SI8275DB-IM1
분류반도체절연체절연체-게이트 드라이버
데이터 시트
SI8275DB-IM1, SI8275DB-IM1 데이터 시트 (총 페이지: 49, 크기: 935.99 KB)
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  • SI8275DB-IM1 Distributor

SI8275DB-IM1 사양

제조업체Silicon Labs
시리즈Automotive, AEC-Q100
기술Capacitive Coupling
채널 수2
전압-절연2500Vrms
공통 모드 과도 내성 (최소)150kV/µs
전파 지연 tpLH / tpHL (최대)60ns, 60ns
펄스 폭 왜곡 (최대)8ns
상승 / 하강 시간 (일반)10.5ns, 13.3ns
전류-출력 높음, 낮음1.8A, 4A
전류-피크 출력4A
전압-순방향 (Vf) (통상)-
전류-DC 순방향 (If) (최대)-
전압-출력 공급4.2V ~ 30V
작동 온도-40°C ~ 125°C
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스14-VDFN
공급자 장치 패키지14-QFN (5x5)
승인CQC, CSA, UL, VDE

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전파 지연 tpLH / tpHL (최대)

200ns, 200ns

펄스 폭 왜곡 (최대)

70ns

상승 / 하강 시간 (일반)

43ns, 40ns

전류-출력 높음, 낮음

2.5A, 2.5A

전류-피크 출력

3A

전압-순방향 (Vf) (통상)

1.55V

전류-DC 순방향 (If) (최대)

25mA

전압-출력 공급

15V ~ 30V

작동 온도

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전파 지연 tpLH / tpHL (최대)

200ns, 200ns

펄스 폭 왜곡 (최대)

65ns

상승 / 하강 시간 (일반)

25ns, 25ns

전류-출력 높음, 낮음

2A, 2A

전류-피크 출력

2.5A

전압-순방향 (Vf) (통상)

1.5V

전류-DC 순방향 (If) (최대)

25mA

전압-출력 공급

10V ~ 20V

작동 온도

-40°C ~ 100°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SMD, Gull Wing

공급자 장치 패키지

8-DIP Gull Wing

승인

CSA, IEC/EN/DIN, UR

ACPL-T350-000E

Broadcom

제조업체

Broadcom Limited

시리즈

-

기술

Optical Coupling

채널 수

1

전압-절연

3750Vrms

공통 모드 과도 내성 (최소)

15kV/µs

전파 지연 tpLH / tpHL (최대)

500ns, 500ns

펄스 폭 왜곡 (최대)

300ns

상승 / 하강 시간 (일반)

15ns, 20ns

전류-출력 높음, 낮음

2A, 2A

전류-피크 출력

2.5A

전압-순방향 (Vf) (통상)

1.5V

전류-DC 순방향 (If) (최대)

25mA

전압-출력 공급

15V ~ 30V

작동 온도

-40°C ~ 100°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

8-DIP (0.300", 7.62mm)

공급자 장치 패키지

8-DIP

승인

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시리즈

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채널 수

2

전압-절연

2500Vrms

공통 모드 과도 내성 (최소)

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전파 지연 tpLH / tpHL (최대)

60ns, 60ns

펄스 폭 왜곡 (최대)

5.6ns

상승 / 하강 시간 (일반)

20ns, 20ns (Max)

전류-출력 높음, 낮음

250mA, 500mA

전류-피크 출력

500mA

전압-순방향 (Vf) (통상)

-

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전류-출력 높음, 낮음

2A, 2A

전류-피크 출력

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전압-순방향 (Vf) (통상)

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