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SI8235AB-C-IS1R

SI8235AB-C-IS1R

참조 용

부품 번호 SI8235AB-C-IS1R
PNEDA 부품 번호 SI8235AB-C-IS1R
설명 DGTL ISO 2.5KV GATE DRVR 16SOIC
제조업체 Silicon Labs
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SI8235AB-C-IS1R 리소스

브랜드 Silicon Labs
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호SI8235AB-C-IS1R
분류반도체절연체절연체-게이트 드라이버
데이터 시트
SI8235AB-C-IS1R, SI8235AB-C-IS1R 데이터 시트 (총 페이지: 56, 크기: 630.44 KB)
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  • SI8235AB-C-IS1R Distributor

SI8235AB-C-IS1R 사양

제조업체Silicon Labs
시리즈Automotive, AEC-Q100
기술Capacitive Coupling
채널 수2
전압-절연2500Vrms
공통 모드 과도 내성 (최소)20kV/µs
전파 지연 tpLH / tpHL (최대)60ns, 60ns
펄스 폭 왜곡 (최대)5.6ns
상승 / 하강 시간 (일반)12ns, 12ns (Max)
전류-출력 높음, 낮음2A, 4A
전류-피크 출력4A
전압-순방향 (Vf) (통상)-
전류-DC 순방향 (If) (최대)-
전압-출력 공급6.5V ~ 24V
작동 온도-40°C ~ 125°C
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지16-SOIC
승인CQC, CSA, UR, VDE

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제조업체

Silicon Labs

시리즈

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채널 수

2

전압-절연

2500Vrms

공통 모드 과도 내성 (최소)

20kV/µs

전파 지연 tpLH / tpHL (최대)

60ns, 60ns

펄스 폭 왜곡 (최대)

5.6ns

상승 / 하강 시간 (일반)

12ns, 12ns (Max)

전류-출력 높음, 낮음

2A, 4A

전류-피크 출력

4A

전압-순방향 (Vf) (통상)

-

전류-DC 순방향 (If) (최대)

-

전압-출력 공급

6.5V ~ 24V

작동 온도

-40°C ~ 125°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

14-VFLGA

공급자 장치 패키지

14-LGA (5x5)

승인

CQC, CSA, UR, VDE

FOD8332R2

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

기술

Optical Coupling

채널 수

1

전압-절연

4243Vrms

공통 모드 과도 내성 (최소)

35kV/µs

전파 지연 tpLH / tpHL (최대)

250ns, 250ns

펄스 폭 왜곡 (최대)

100ns

상승 / 하강 시간 (일반)

50ns, 50ns

전류-출력 높음, 낮음

2.5A, 2.5A

전류-피크 출력

3A

전압-순방향 (Vf) (통상)

1.45V

전류-DC 순방향 (If) (최대)

25mA

전압-출력 공급

3V ~ 15V

작동 온도

-40°C ~ 100°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

공급자 장치 패키지

16-SOIC

승인

UL

SI8275DBD-IM1R

Silicon Labs

제조업체

Silicon Labs

시리즈

*

기술

-

채널 수

-

전압-절연

-

공통 모드 과도 내성 (최소)

-

전파 지연 tpLH / tpHL (최대)

-

펄스 폭 왜곡 (최대)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

-

전류-출력 높음, 낮음

-

전류-피크 출력

-

전압-순방향 (Vf) (통상)

-

전류-DC 순방향 (If) (최대)

-

전압-출력 공급

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

승인

-

SI8261AAC-C-ISR

Silicon Labs

제조업체

Silicon Labs

시리즈

Automotive, AEC-Q100

기술

Capacitive Coupling

채널 수

1

전압-절연

3750Vrms

공통 모드 과도 내성 (최소)

35kV/µs

전파 지연 tpLH / tpHL (최대)

60ns, 50ns

펄스 폭 왜곡 (최대)

28ns

상승 / 하강 시간 (일반)

5.5ns, 8.5ns

전류-출력 높음, 낮음

400mA, 600mA

전류-피크 출력

600mA

전압-순방향 (Vf) (통상)

2.8V (Max)

전류-DC 순방향 (If) (최대)

30mA

전압-출력 공급

6.5V ~ 30V

작동 온도

-40°C ~ 125°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

승인

CQC, CSA, UR, VDE

UCC21520QDWRQ1

Texas Instruments

제조업체

시리즈

-

기술

Capacitive Coupling

채널 수

2

전압-절연

5700Vrms

공통 모드 과도 내성 (최소)

100V/ns

전파 지연 tpLH / tpHL (최대)

30ns, 30ns

펄스 폭 왜곡 (최대)

6ns

상승 / 하강 시간 (일반)

6ns, 7ns

전류-출력 높음, 낮음

4A, 6A

전류-피크 출력

-

전압-순방향 (Vf) (통상)

-

전류-DC 순방향 (If) (최대)

-

전압-출력 공급

3V ~ 18V

작동 온도

-40°C ~ 125°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

공급자 장치 패키지

16-SOIC

승인

CQC, CSA, UR, VDE

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