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SI8232AB-B-ISR

SI8232AB-B-ISR

참조 용

부품 번호 SI8232AB-B-ISR
PNEDA 부품 번호 SI8232AB-B-ISR
설명 DGTL ISO 2.5KV GATE DRVR 16SOIC
제조업체 Silicon Labs
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SI8232AB-B-ISR 리소스

브랜드 Silicon Labs
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호SI8232AB-B-ISR
분류반도체절연체절연체-게이트 드라이버
데이터 시트
SI8232AB-B-ISR, SI8232AB-B-ISR 데이터 시트 (총 페이지: 56, 크기: 630.44 KB)
PDFSI8237AB-B-IS1R 데이터 시트 표지
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  • SI8232AB-B-ISR Distributor

SI8232AB-B-ISR 사양

제조업체Silicon Labs
시리즈Automotive, AEC-Q100
기술Capacitive Coupling
채널 수2
전압-절연2500Vrms
공통 모드 과도 내성 (최소)20kV/µs
전파 지연 tpLH / tpHL (최대)60ns, 60ns
펄스 폭 왜곡 (최대)5.6ns
상승 / 하강 시간 (일반)20ns, 20ns (Max)
전류-출력 높음, 낮음250mA, 500mA
전류-피크 출력500mA
전압-순방향 (Vf) (통상)-
전류-DC 순방향 (If) (최대)-
전압-출력 공급6.5V ~ 24V
작동 온도-40°C ~ 125°C
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
공급자 장치 패키지16-SOIC
승인CQC, CSA, UR, VDE

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전파 지연 tpLH / tpHL (최대)

69ns, 79ns

펄스 폭 왜곡 (최대)

16.5ns

상승 / 하강 시간 (일반)

18ns, 18ns

전류-출력 높음, 낮음

-

전류-피크 출력

2.3A

전압-순방향 (Vf) (통상)

-

전류-DC 순방향 (If) (최대)

-

전압-출력 공급

4.5V ~ 35V

작동 온도

-40°C ~ 125°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

공급자 장치 패키지

6-SOIC-IC

승인

CSA, UR, VDE

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3750Vrms

공통 모드 과도 내성 (최소)

25kV/µs

전파 지연 tpLH / tpHL (최대)

500ns, 500ns

펄스 폭 왜곡 (최대)

300ns

상승 / 하강 시간 (일반)

100ns, 100ns

전류-출력 높음, 낮음

2A, 2A

전류-피크 출력

2.5A

전압-순방향 (Vf) (통상)

1.5V

전류-DC 순방향 (If) (최대)

25mA

전압-출력 공급

15V ~ 30V

작동 온도

-40°C ~ 125°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SMD, Gull Wing

공급자 장치 패키지

8-DIP Gull Wing

승인

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채널 수

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전압-절연

1700VDC

공통 모드 과도 내성 (최소)

100V/ns

전파 지연 tpLH / tpHL (최대)

100ns, 100ns

펄스 폭 왜곡 (최대)

20ns

상승 / 하강 시간 (일반)

30ns, 30ns

전류-출력 높음, 낮음

4A, 4A

전류-피크 출력

-

전압-순방향 (Vf) (통상)

-

전류-DC 순방향 (If) (최대)

-

전압-출력 공급

3V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SO

승인

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전압-절연

3750Vrms

공통 모드 과도 내성 (최소)

50kV/µs

전파 지연 tpLH / tpHL (최대)

120ns, 120ns

펄스 폭 왜곡 (최대)

50ns

상승 / 하강 시간 (일반)

8ns, 8ns

전류-출력 높음, 낮음

2A, 2A

전류-피크 출력

2.5A

전압-순방향 (Vf) (통상)

1.55V

전류-DC 순방향 (If) (최대)

25mA

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전류-DC 순방향 (If) (최대)

25mA

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