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SI7540DP-T1-E3

SI7540DP-T1-E3

참조 용

부품 번호 SI7540DP-T1-E3
PNEDA 부품 번호 SI7540DP-T1-E3
설명 MOSFET N/P-CH 12V 7.6A PPAK SO-8
제조업체 Vishay Siliconix
단가 견적 요청
재고 있음 7,542
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

SI7540DP-T1-E3 리소스

브랜드 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호SI7540DP-T1-E3
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
SI7540DP-T1-E3, SI7540DP-T1-E3 데이터 시트 (총 페이지: 15, 크기: 362.62 KB)
PDFSI7540DP-T1-GE3 데이터 시트 표지
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SI7540DP-T1-E3 사양

제조업체Vishay Siliconix
시리즈TrenchFET®
FET 유형N and P-Channel
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)12V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)7.6A, 5.7A
Rds On (최대) @ Id, Vgs17mOhm @ 11.8A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id1.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs17nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds-
전력-최대1.4W
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스PowerPAK® SO-8 Dual
공급자 장치 패키지PowerPAK® SO-8 Dual

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드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

10.6A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

20mOhm @ 9A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

16.5nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1931pF @ 15V

전력-최대

1.2W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SO

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ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

*

FET 유형

-

FET 기능

-

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

-

작동 온도

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SMD, Flat Lead

공급자 장치 패키지

8-ECH

CMLDM3757 TR

Central Semiconductor Corp

제조업체

Central Semiconductor Corp

시리즈

-

FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

540mA, 430mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

550mOhm @ 540mA, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

1.58nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

150pF @ 16V

전력-최대

350mW

작동 온도

-65°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-563, SOT-666

공급자 장치 패키지

SOT-563

DMT2005UDV-7

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

24V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

50A (Tc)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

7mOhm @ 14A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

46.7nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2060pF @ 10V

전력-최대

900mW (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-PowerVDFN

공급자 장치 패키지

PowerDI3333-8

CAS300M12BM2

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드레인-소스 전압 (Vdss)

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

423A (Tc)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

5.7mOhm @ 300A, 20V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.3V @ 15mA (Typ)

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

1025nC @ 20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

11700pF @ 600V

전력-최대

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