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SI7222DN-T1-E3

SI7222DN-T1-E3

참조 용

부품 번호 SI7222DN-T1-E3
PNEDA 부품 번호 SI7222DN-T1-E3
설명 MOSFET 2N-CH 40V 6A 1212-8
제조업체 Vishay Siliconix
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

SI7222DN-T1-E3 리소스

브랜드 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호SI7222DN-T1-E3
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
SI7222DN-T1-E3, SI7222DN-T1-E3 데이터 시트 (총 페이지: 8, 크기: 116.25 KB)
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SI7222DN-T1-E3 사양

제조업체Vishay Siliconix
시리즈TrenchFET®
FET 유형2 N-Channel (Dual)
FET 기능Standard
드레인-소스 전압 (Vdss)40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)6A
Rds On (최대) @ Id, Vgs42mOhm @ 5.7A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id1.6V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs29nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds700pF @ 20V
전력-최대17.8W
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스PowerPAK® 1212-8 Dual
공급자 장치 패키지PowerPAK® 1212-8 Dual

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ON Semiconductor

시리즈

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2 N-Channel (Dual)

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Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

7.5A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

17mOhm @ 4A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

10.8nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1060pF @ 10V

전력-최대

1.5W

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SMD, Flat Lead

공급자 장치 패키지

8-ECH

EMH2411R-TL-H

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual) Common Drain

FET 기능

Logic Level Gate, 2.5V Drive

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

5A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

36.5mOhm @ 2.5A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

5.9nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

1.4W

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SMD, Flat Lead

공급자 장치 패키지

8-EMH

SSM6N39TU,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

1.6A (Ta)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

119mOhm @ 1A, 4V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

7.5nC @ 4V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

260pF @ 10V

전력-최대

500mW

작동 온도

150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-SMD, Flat Leads

공급자 장치 패키지

UF6

ALD114813PCL

Advanced Linear Devices Inc.

제조업체

Advanced Linear Devices Inc.

시리즈

EPAD®

FET 유형

4 N-Channel, Matched Pair

FET 기능

Depletion Mode

드레인-소스 전압 (Vdss)

10.6V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

12mA, 3mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

500Ohm @ 2.7V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.26V @ 1µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2.5pF @ 5V

전력-최대

500mW

작동 온도

0°C ~ 70°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

16-DIP (0.300", 7.62mm)

공급자 장치 패키지

16-PDIP

NX3020NAKV,115

Nexperia

제조업체

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시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

200mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

4.5Ohm @ 100mA, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

0.44nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

13pF @ 10V

전력-최대

375mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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