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SI6967DQ-T1-GE3

SI6967DQ-T1-GE3

참조 용

부품 번호 SI6967DQ-T1-GE3
PNEDA 부품 번호 SI6967DQ-T1-GE3
설명 MOSFET 2P-CH 8V 8TSSOP
제조업체 Vishay Siliconix
단가 견적 요청
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

SI6967DQ-T1-GE3 리소스

브랜드 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호SI6967DQ-T1-GE3
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
SI6967DQ-T1-GE3, SI6967DQ-T1-GE3 데이터 시트 (총 페이지: 5, 크기: 96.8 KB)
PDFSI6967DQ-T1-GE3 데이터 시트 표지
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  • SI6967DQ-T1-GE3 Distributor

SI6967DQ-T1-GE3 사양

제조업체Vishay Siliconix
시리즈TrenchFET®
FET 유형2 P-Channel (Dual)
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)8V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)-
Rds On (최대) @ Id, Vgs30mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id450mV @ 250µA (Min)
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs40nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds-
전력-최대1.1W
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
공급자 장치 패키지8-TSSOP

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

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시리즈

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드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

6.3A, 8.6A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

36mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

20nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1380pF @ 25V

전력-최대

1.4W

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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8-SOP

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시리즈

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FET 유형

2 N-Channel (Half Bridge)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

495A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

2.5mOhm @ 200A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 10mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

1360nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

40000pF @ 25V

전력-최대

1250W

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

SP6

공급자 장치 패키지

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Micro Commercial Co

제조업체

Micro Commercial Co

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual) Common Drain

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

7A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

20mOhm @ 7A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

15nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1150pF @ 10V

전력-최대

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-WFDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

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제조업체

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

35V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4.5A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

59mOhm @ 2A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

4.5nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

230pF @ 20V

전력-최대

1.5W

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