SI5504DC-T1-GE3
참조 용
| 부품 번호 | SI5504DC-T1-GE3 |
| PNEDA 부품 번호 | SI5504DC-T1-GE3 |
| 제조업체 | Vishay Siliconix |
| 설명 | MOSFET N/P-CH 30V 2.9A 1206-8 |
| 단가 |
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| 재고 있음 | 470 |
| 창고 | USA, Europe, China, Hong Kong SAR |
| 지불 |  |
| 배송 |  |
| 예상 배송 | 3월 6 - 3월 11 (신속 배송 선택) |
| 보증 | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
SI5504DC-T1-GE3 리소스
| 브랜드 | Vishay Siliconix |
| Mfr. 부품 번호 | SI5504DC-T1-GE3 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
| 데이터 시트 |
SI5504DC-T1-GE3 사양
| 제조업체 | Vishay Siliconix |
| 시리즈 | TrenchFET® |
| FET 유형 | N and P-Channel |
| FET 기능 | Logic Level Gate |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 30V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 2.9A, 2.1A |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 85mOhm @ 2.9A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 1V @ 250µA (Min) |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 7.5nC @ 10V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | - |
| 전력-최대 | 1.1W |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 8-SMD, Flat Lead |
| 공급자 장치 패키지 | 1206-8 ChipFET™ |
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제조업체 ON Semiconductor 시리즈 * FET 유형 - FET 기능 - 드레인-소스 전압 (Vdss) - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) - Rds On (최대) @ Id, Vgs - Vgs (th) (최대) @ Id - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds - 전력-최대 - 작동 온도 - 장착 유형 - 패키지 / 케이스 - 공급자 장치 패키지 - |
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