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SI5504DC-T1-GE3

SI5504DC-T1-GE3

참조 용

부품 번호 SI5504DC-T1-GE3
PNEDA 부품 번호 SI5504DC-T1-GE3
제조업체 Vishay Siliconix
설명 MOSFET N/P-CH 30V 2.9A 1206-8
단가
  • 1$ 0.0000
  • 100$ 0.0000
  • 500$ 0.0000
  • 1000$ 0.0000
  • 2500$ 0.0000
재고 있음 470
창고 USA, Europe, China, Hong Kong SAR
지불 Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
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보증 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

SI5504DC-T1-GE3 리소스

브랜드 Vishay Siliconix
Mfr. 부품 번호SI5504DC-T1-GE3
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
SI5504DC-T1-GE3, SI5504DC-T1-GE3 데이터 시트 (총 페이지: 8, 크기: 120.21 KB)
PDFSI5504DC-T1-GE3 데이터 시트 표지
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SI5504DC-T1-GE3 사양

제조업체Vishay Siliconix
시리즈TrenchFET®
FET 유형N and P-Channel
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)2.9A, 2.1A
Rds On (최대) @ Id, Vgs85mOhm @ 2.9A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id1V @ 250µA (Min)
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs7.5nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds-
전력-최대1.1W
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-SMD, Flat Lead
공급자 장치 패키지1206-8 ChipFET™

PNEDA는 고품질 전자 부품을 고객에게 빠르고 안정적으로 공급함으로써 업계 리더가되기 위해 노력하고 있습니다.

우리의 접근 방식은 고객에게 다음과 같은 세 가지 주요 이점을 입증하는 데 기반을두고 있습니다.

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

20A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

2.1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

5.8nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

900pF @ 15V

전력-최대

6W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-PowerLDFN

공급자 장치 패키지

8-LSON (3.3x3.3)

NTZD3156CT5G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

540mA, 430mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

550mOhm @ 540mA, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

2.5nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

72pF @ 16V

전력-최대

250mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-563, SOT-666

공급자 장치 패키지

SOT-563

TC1550TG-G

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

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FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

500V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

60Ohm @ 50mA, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

55pF @ 25V

전력-최대

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

IRF7325

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

HEXFET®

FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

12V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

7.8A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

24mOhm @ 7.8A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

900mV @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

33nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2020pF @ 10V

전력-최대

2W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SO

DMP2160UFDB-7R

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

*

FET 유형

-

FET 기능

-

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

-

작동 온도

-

장착 유형

-

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