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SGW5N60RUFDTM

SGW5N60RUFDTM

참조 용

부품 번호 SGW5N60RUFDTM
PNEDA 부품 번호 SGW5N60RUFDTM
설명 IGBT 600V 8A 60W D2PAK
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 2,448
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 7월 18 - 7월 23 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

SGW5N60RUFDTM 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호SGW5N60RUFDTM
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일

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SGW5N60RUFDTM 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
IGBT 유형-
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)600V
전류-수집기 (Ic) (최대)8A
전류-수집기 펄스 (Icm)15A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.8V @ 15V, 5A
전력-최대60W
에너지 전환88µJ (on), 107µJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지16nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C13ns/34ns
테스트 조건300V, 5A, 40Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)55ns
작동 온도-
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
공급자 장치 패키지D²PAK

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제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

Trench

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

24A

전류-수집기 펄스 (Icm)

48A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.85V @ 15V, 12A

전력-최대

140W

에너지 전환

75µJ (on), 225µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

25nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

31ns/83ns

테스트 조건

400V, 12A, 22Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

68ns

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

TO-220AB

SKB02N60E3266ATMA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

NPT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

6A

전류-수집기 펄스 (Icm)

12A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 2A

전력-최대

30W

에너지 전환

64µJ

입력 유형

Standard

게이트 차지

14nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

20ns/259ns

테스트 조건

400V, 2A, 118Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

130ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

PG-TO263-3

제조업체

IXYS

시리즈

-

IGBT 유형

PT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

38A

전류-수집기 펄스 (Icm)

-

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 15A

전력-최대

165W

에너지 전환

1.55mJ (on), 1.7mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

47nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-

테스트 조건

600V, 15A, 56Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

350ns

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247AD (HB)

DGTD120T40S1PT

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

IGBT 유형

Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

80A

전류-수집기 펄스 (Icm)

160A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 40A

전력-최대

357W

에너지 전환

1.96mJ (on), 540µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

341nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

65ns/308ns

테스트 조건

600V, 40A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

100ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247

FGH15T120SMD-F155

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

30A

전류-수집기 펄스 (Icm)

60A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 15A

전력-최대

333W

에너지 전환

1.15mJ (on), 460µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

128nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

32ns/490ns

테스트 조건

600V, 15A, 34Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

72ns

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247 Long Leads

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MM74HC14M

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MB96F683RBPMC-GSE1

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7427931

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