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SGW13N60UFDTM

SGW13N60UFDTM

참조 용

부품 번호 SGW13N60UFDTM
PNEDA 부품 번호 SGW13N60UFDTM
설명 IGBT 600V 13A 60W D2PAK
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 8,028
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 7월 11 - 7월 16 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

SGW13N60UFDTM 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호SGW13N60UFDTM
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일

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  • SGW13N60UFDTM Distributor

SGW13N60UFDTM 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
IGBT 유형-
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)600V
전류-수집기 (Ic) (최대)13A
전류-수집기 펄스 (Icm)52A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.6V @ 15V, 6.5A
전력-최대60W
에너지 전환85µJ (on), 95µJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지25nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C20ns/70ns
테스트 조건300V, 6.5A, 50Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)55ns
작동 온도-
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
공급자 장치 패키지D²PAK

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제조업체

IXYS

시리즈

GenX3™

IGBT 유형

PT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

75A

전류-수집기 펄스 (Icm)

280A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.8V @ 15V, 32A

전력-최대

300W

에너지 전환

450µJ (on), 660µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

115nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

22ns/130ns

테스트 조건

480V, 30A, 5Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247AD (IXGH)

STGB10NC60KT4

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

PowerMESH™

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

20A

전류-수집기 펄스 (Icm)

30A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 5A

전력-최대

65W

에너지 전환

55µJ (on), 85µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

19nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

17ns/72ns

테스트 조건

390V, 5A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

D2PAK

제조업체

IXYS

시리즈

GenX3™

IGBT 유형

PT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

75A

전류-수집기 펄스 (Icm)

400A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.45V @ 15V, 60A

전력-최대

200W

에너지 전환

1.4mJ (on), 3.5mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

230nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

31ns/320ns

테스트 조건

480V, 50A, 3Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

140ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

ISOPLUS247™

공급자 장치 패키지

ISOPLUS247™

APT25GP120BDQ1G

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

POWER MOS 7®

IGBT 유형

PT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

69A

전류-수집기 펄스 (Icm)

90A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.9V @ 15V, 25A

전력-최대

417W

에너지 전환

500µJ (on), 440µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

110nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

12ns/70ns

테스트 조건

600V, 25A, 5Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247 [B]

IRG4PC50UD-MP

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

HEXFRED®

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

55A

전류-수집기 펄스 (Icm)

220A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 27A

전력-최대

200W

에너지 전환

-

입력 유형

Standard

게이트 차지

270nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-

테스트 조건

-

역 복구 시간 (trr)

75ns

작동 온도

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247AC

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