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SGP20N60XKSA1

SGP20N60XKSA1

참조 용

부품 번호 SGP20N60XKSA1
PNEDA 부품 번호 SGP20N60XKSA1
설명 IGBT 600V 40A 179W TO220-3
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 3,420
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 6월 14 - 6월 19 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

SGP20N60XKSA1 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호SGP20N60XKSA1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
SGP20N60XKSA1, SGP20N60XKSA1 데이터 시트 (총 페이지: 12, 크기: 331.82 KB)
PDFSGP20N60XKSA1 데이터 시트 표지
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  • SGP20N60XKSA1 Distributor

SGP20N60XKSA1 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈-
IGBT 유형NPT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)600V
전류-수집기 (Ic) (최대)40A
전류-수집기 펄스 (Icm)80A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.4V @ 15V, 20A
전력-최대179W
에너지 전환440µJ (on), 330µJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지100nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C36ns/225ns
테스트 조건400V, 20A, 16Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)-
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-220-3
공급자 장치 패키지PG-TO220-3

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ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

150A

전류-수집기 펄스 (Icm)

300A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 75A

전력-최대

375W

에너지 전환

300µJ (on), 70µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

128nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

23ns/120ns

테스트 조건

400V, 18.8A, 4.7Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

76ns

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247-3

APT150GN60LDQ4G

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

220A

전류-수집기 펄스 (Icm)

450A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.85V @ 15V, 150A

전력-최대

536W

에너지 전환

8.81mJ (on), 4.295mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

970nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

44ns/430ns

테스트 조건

400V, 150A, 1Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-264-3, TO-264AA

공급자 장치 패키지

TO-264 [L]

STGW35NB60S

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

PowerMESH™

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

70A

전류-수집기 펄스 (Icm)

250A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.7V @ 15V, 20A

전력-최대

200W

에너지 전환

840µJ (on), 7.4mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

83nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

92ns/1.1µs

테스트 조건

480V, 20A, 100Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247-3

SGB30N60ATMA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

NPT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

41A

전류-수집기 펄스 (Icm)

112A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 30A

전력-최대

250W

에너지 전환

1.29mJ

입력 유형

Standard

게이트 차지

140nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

44ns/291ns

테스트 조건

400V, 30A, 11Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

PG-TO263-3

IRGC4056B

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

Trench

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

8A

전류-수집기 펄스 (Icm)

-

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

-

전력-최대

-

에너지 전환

-

입력 유형

Standard

게이트 차지

-

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-

테스트 조건

-

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

Die

공급자 장치 패키지

Die

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