SD56120M
참조 용
| 부품 번호 | SD56120M |
| PNEDA 부품 번호 | SD56120M |
| 설명 | FET RF 65V 860MHZ M252 |
| 제조업체 | STMicroelectronics |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 3,006 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 6월 30 - 7월 5 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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SD56120M 리소스
| 브랜드 | STMicroelectronics |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | SD56120M |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-RF |
| 데이터 시트 |
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SD56120M 사양
| 제조업체 | STMicroelectronics |
| 시리즈 | - |
| 트랜지스터 유형 | LDMOS |
| 주파수 | 860MHz |
| 이득 | 16dB |
| 전압-테스트 | 32V |
| 전류 정격 (Amps) | 14A |
| 소음 수치 | - |
| 현재-테스트 | 400mA |
| 전원-출력 | 120W |
| 전압-정격 | 65V |
| 패키지 / 케이스 | M252 |
| 공급자 장치 패키지 | M252 |
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제조업체 Cree/Wolfspeed 시리즈 * 트랜지스터 유형 - 주파수 - 이득 - 전압-테스트 - 전류 정격 (Amps) - 소음 수치 - 현재-테스트 - 전원-출력 - 전압-정격 - 패키지 / 케이스 - 공급자 장치 패키지 - |
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제조업체 NXP USA Inc. 시리즈 - 트랜지스터 유형 LDMOS 주파수 870MHz 이득 15.2dB 전압-테스트 7.5V 전류 정격 (Amps) - 소음 수치 - 현재-테스트 100mA 전원-출력 7.3W 전압-정격 30V 패키지 / 케이스 PLD-1.5W 공급자 장치 패키지 PLD-1.5W |
제조업체 NXP USA Inc. 시리즈 - 트랜지스터 유형 LDMOS 주파수 1.81GHz 이득 18.2dB 전압-테스트 28V 전류 정격 (Amps) - 소음 수치 - 현재-테스트 800mA 전원-출력 72W 전압-정격 65V 패키지 / 케이스 NI-780S 공급자 장치 패키지 NI-780S |
제조업체 NXP USA Inc. 시리즈 - 트랜지스터 유형 N-Channel Dual Gate 주파수 200MHz 이득 - 전압-테스트 5V 전류 정격 (Amps) 30mA 소음 수치 1dB 현재-테스트 10mA 전원-출력 - 전압-정격 7V 패키지 / 케이스 SC-82A, SOT-343 공급자 장치 패키지 CMPAK-4 |
