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SBR200-10JS

SBR200-10JS

참조 용

부품 번호 SBR200-10JS
PNEDA 부품 번호 SBR200-10JS
설명 DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO220
제조업체 ON Semiconductor
단가
1 ---------- $12.5633
100 ---------- $11.9744
250 ---------- $11.3855
500 ---------- $10.7966
750 ---------- $10.3059
1,000 ---------- $9.8151
재고 있음 2,214
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SBR200-10JS 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호SBR200-10JS
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-배열
데이터 시트
SBR200-10JS, SBR200-10JS 데이터 시트 (총 페이지: 3, 크기: 45.7 KB)
PDFSBR200-10JS 데이터 시트 표지
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SBR200-10JS 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
다이오드 구성1 Pair Common Cathode
다이오드 유형Schottky
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)100V
전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)20A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If880mV @ 10A
속도Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)-
전류-역방향 누설 @ Vr1mA @ 100V
작동 온도-접합-55°C ~ 150°C
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-220-3 Full Pack
공급자 장치 패키지TO-220ML

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다이오드 구성

2 Independent

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

30V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

30mA

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1V @ 30mA

속도

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

역 복구 시간 (trr)

1ns

전류-역방향 누설 @ Vr

300nA @ 30V

작동 온도-접합

125°C (Max)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-61AB

공급자 장치 패키지

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GeneSiC Semiconductor

제조업체

GeneSiC Semiconductor

시리즈

-

다이오드 구성

1 Pair Common Cathode

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

30V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

80A (DC)

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

650mV @ 80A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

1.5mA @ 20V

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

D61-3SM

공급자 장치 패키지

D61-3SM

FEP16DTD

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

다이오드 구성

1 Pair Series Connection

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

200V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

8A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

950mV @ 8A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

35ns

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 200V

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

TO-220-3

MSRT150100(A)

GeneSiC Semiconductor

제조업체

GeneSiC Semiconductor

시리즈

-

다이오드 구성

1 Pair Common Cathode

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

1000V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

150A (DC)

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 150A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 600V

작동 온도-접합

-

장착 유형

Chassis Mount

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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-

다이오드 구성

1 Pair Common Cathode

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

20V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

20A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

450mV @ 20A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

3mA @ 20V

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

장착 유형

Through Hole

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