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SBC846ALT1G

SBC846ALT1G

참조 용

부품 번호 SBC846ALT1G
PNEDA 부품 번호 SBC846ALT1G
설명 TRANS NPN 65V 0.1A SOT-23
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 88,860
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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SBC846ALT1G 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호SBC846ALT1G
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-단일
데이터 시트
SBC846ALT1G, SBC846ALT1G 데이터 시트 (총 페이지: 14, 크기: 228.2 KB)
PDFBC848CLT1 데이터 시트 표지
BC848CLT1 데이터 시트 페이지 2 BC848CLT1 데이터 시트 페이지 3 BC848CLT1 데이터 시트 페이지 4 BC848CLT1 데이터 시트 페이지 5 BC848CLT1 데이터 시트 페이지 6 BC848CLT1 데이터 시트 페이지 7 BC848CLT1 데이터 시트 페이지 8 BC848CLT1 데이터 시트 페이지 9 BC848CLT1 데이터 시트 페이지 10 BC848CLT1 데이터 시트 페이지 11

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SBC846ALT1G 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈Automotive, AEC-Q101
트랜지스터 유형NPN
전류-수집기 (Ic) (최대)100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)65V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic600mV @ 5mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대)15nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce110 @ 2mA, 5V
전력-최대300mW
주파수-전환100MHz
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지SOT-23-3 (TO-236)

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600mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

150V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

500mV @ 5mA, 50mA

전류-수집기 차단 (최대)

50nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

60 @ 10mA, 5V

전력-최대

1W

주파수-전환

300MHz

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-261-4, TO-261AA

공급자 장치 패키지

SOT-223

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ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

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트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

30V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

650mV @ 5mA, 100mA

전류-수집기 차단 (최대)

15nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

420 @ 2mA, 5V

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제조업체

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시리즈

Military, MIL-PRF-19500/407

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

15A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

70V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

2V @ 3.3A, 10A

전류-수집기 차단 (최대)

1mA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

20 @ 4A, 4V

전력-최대

6W

주파수-전환

-

작동 온도

-65°C ~ 200°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-204AA, TO-3

공급자 장치 패키지

TO-3 (TO-204AA)

JANTXV2N3507AL

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

Military, MIL-PRF-19500/349

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

3A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

1.5V @ 250mA, 2.5A

전류-수집기 차단 (최대)

-

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

30 @ 1.5A, 2V

전력-최대

1W

주파수-전환

-

작동 온도

-65°C ~ 200°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-205AA, TO-5-3 Metal Can

공급자 장치 패키지

TO-5

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제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

-

트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

2A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

180V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

1V @ 100mA, 1A

전류-수집기 차단 (최대)

5µA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

100 @ 100mA, 5V

전력-최대

2W

주파수-전환

200MHz

작동 온도

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장착 유형

Through Hole

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