SB3H100HE3/54
참조 용
| 부품 번호 | SB3H100HE3/54 |
| PNEDA 부품 번호 | SB3H100HE3-54 |
| 설명 | DIODE SCHOTTKY 100V 3A DO201AD |
| 제조업체 | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 7,272 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 7월 11 - 7월 16 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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SB3H100HE3/54 리소스
| 브랜드 | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | SB3H100HE3/54 |
| 분류 | 반도체 › 다이오드 및 정류기 › 정류기-싱글 |
| 데이터 시트 |
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- SB3H100HE3/54 Distributor
SB3H100HE3/54 사양
| 제조업체 | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| 시리즈 | - |
| 다이오드 유형 | Schottky |
| 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) | 100V |
| 전류-평균 정류 (Io) | 3A |
| 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If | 800mV @ 3A |
| 속도 | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| 역 복구 시간 (trr) | - |
| 전류-역방향 누설 @ Vr | 20µA @ 100V |
| 커패시턴스 @ Vr, F | - |
| 장착 유형 | Through Hole |
| 패키지 / 케이스 | DO-201AD, Axial |
| 공급자 장치 패키지 | DO-201AD |
| 작동 온도-접합 | 175°C (Max) |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈 - 다이오드 유형 Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 1000V 전류-평균 정류 (Io) 100A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If - 속도 Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) - 전류-역방향 누설 @ Vr 10mA @ 1000V 커패시턴스 @ Vr, F - 장착 유형 Chassis Mount 패키지 / 케이스 ADD-A-PAK (3) 공급자 장치 패키지 ADD-A-PAK® 작동 온도-접합 -40°C ~ 150°C |
제조업체 Taiwan Semiconductor Corporation 시리즈 Automotive, AEC-Q101 다이오드 유형 Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 600V 전류-평균 정류 (Io) 4A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.7V @ 4A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) 35ns 전류-역방향 누설 @ Vr 5µA @ 600V 커패시턴스 @ Vr, F 80pF @ 4V, 1MHz 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 DO-201AD, Axial 공급자 장치 패키지 DO-201AD 작동 온도-접합 -55°C ~ 150°C |
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈 - 다이오드 유형 Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 400V 전류-평균 정류 (Io) 20A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.3V @ 20A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) 160ns 전류-역방향 누설 @ Vr 100µA @ 400V 커패시턴스 @ Vr, F - 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-220-2 공급자 장치 패키지 TO-220AC 작동 온도-접합 -40°C ~ 150°C |
제조업체 Infineon Technologies 시리즈 CoolSiC™+ 다이오드 유형 Silicon Carbide Schottky 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 650V 전류-평균 정류 (Io) 2A (DC) 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.8V @ 2A 속도 No Recovery Time > 500mA (Io) 역 복구 시간 (trr) 0ns 전류-역방향 누설 @ Vr 330µA @ 650V 커패시턴스 @ Vr, F 70pF @ 1V, 1MHz 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 공급자 장치 패키지 PG-TO263-2 작동 온도-접합 -55°C ~ 175°C |
제조업체 Rohm Semiconductor 시리즈 - 다이오드 유형 Silicon Carbide Schottky 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 650V 전류-평균 정류 (Io) 15A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.55V @ 15A 속도 No Recovery Time > 500mA (Io) 역 복구 시간 (trr) 0ns 전류-역방향 누설 @ Vr 300µA @ 600V 커패시턴스 @ Vr, F 550pF @ 1V, 1MHz 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-220-2 공급자 장치 패키지 TO-220ACFP 작동 온도-접합 175°C (Max) |
