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S29WS128N0SBAW012

S29WS128N0SBAW012

참조 용

부품 번호 S29WS128N0SBAW012
PNEDA 부품 번호 S29WS128N0SBAW012
설명 IC MEMORY NOR
제조업체 Cypress Semiconductor
단가 견적 요청
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

S29WS128N0SBAW012 리소스

브랜드 Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호S29WS128N0SBAW012
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
S29WS128N0SBAW012, S29WS128N0SBAW012 데이터 시트 (총 페이지: 79, 크기: 1,777.56 KB)
PDFS29WS256N0SBFW012 데이터 시트 표지
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S29WS128N0SBAW012 사양

제조업체Cypress Semiconductor Corp
시리즈-
메모리 유형-
메모리 포맷-
기술-
메모리 크기-
메모리 인터페이스-
시계 주파수-
쓰기주기 시간-단어, 페이지-
접근 시간-
전압-공급-
작동 온도-
장착 유형-
패키지 / 케이스-
공급자 장치 패키지-

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메모리 인터페이스

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시계 주파수

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쓰기주기 시간-단어, 페이지

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접근 시간

-

전압-공급

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장착 유형

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패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

8-SO

CAT93C46YI-G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

1Kb (128 x 8, 64 x 16)

메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

2MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

1.8V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

공급자 장치 패키지

8-TSSOP

IS46TR16640B-15GBLA2

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제조업체

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - DDR3

메모리 크기

1Gb (64M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

667MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

15ns

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Surface Mount

패키지 / 케이스

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96-TWBGA (9x13)

S26KL512SDABHV020

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

HyperFlash™ KL

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NOR

메모리 크기

512Mb (64M x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

100MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

96ns

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 105°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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24-FBGA (6x8)

MT29F512G08CUCABH3-10ITZ:A

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NAND

메모리 크기

512Gb (64G x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

100MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

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