S29CL032J0RQFM033
참조 용
| 부품 번호 | S29CL032J0RQFM033 |
| PNEDA 부품 번호 | S29CL032J0RQFM033 |
| 설명 | IC GATE NOR |
| 제조업체 | Cypress Semiconductor |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 3,436 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 7월 11 - 7월 16 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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S29CL032J0RQFM033 리소스
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S29CL032J0RQFM033 사양
| 제조업체 | Cypress Semiconductor Corp |
| 시리즈 | - |
| 메모리 유형 | - |
| 메모리 포맷 | - |
| 기술 | - |
| 메모리 크기 | - |
| 메모리 인터페이스 | - |
| 시계 주파수 | - |
| 쓰기주기 시간-단어, 페이지 | - |
| 접근 시간 | - |
| 전압-공급 | - |
| 작동 온도 | - |
| 장착 유형 | - |
| 패키지 / 케이스 | - |
| 공급자 장치 패키지 | - |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Cypress Semiconductor Corp 시리즈 * 메모리 유형 - 메모리 포맷 - 기술 - 메모리 크기 - 메모리 인터페이스 - 시계 주파수 - 쓰기주기 시간-단어, 페이지 - 접근 시간 - 전압-공급 - 작동 온도 - 장착 유형 - 패키지 / 케이스 - 공급자 장치 패키지 - |
제조업체 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈 - 메모리 유형 Volatile 메모리 포맷 DRAM 기술 SDRAM 메모리 크기 128Mb (8M x 16) 메모리 인터페이스 Parallel 시계 주파수 133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지 - 접근 시간 5.4ns 전압-공급 3V ~ 3.6V 작동 온도 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 54-TFBGA 공급자 장치 패키지 54-TFBGA (8x8) |
제조업체 IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈 - 메모리 유형 Volatile 메모리 포맷 SRAM 기술 SRAM - Dual Port, Synchronous 메모리 크기 1Mb (64K x 16) 메모리 인터페이스 Parallel 시계 주파수 - 쓰기주기 시간-단어, 페이지 - 접근 시간 7.5ns 전압-공급 3V ~ 3.6V 작동 온도 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 128-LQFP 공급자 장치 패키지 128-TQFP (14x20) |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - 메모리 유형 Non-Volatile 메모리 포맷 NVSRAM 기술 NVSRAM (Non-Volatile SRAM) 메모리 크기 256b (16 x 16) 메모리 인터페이스 SPI 시계 주파수 1MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지 - 접근 시간 - 전압-공급 4.5V ~ 5.5V 작동 온도 -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 8-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지 8-PDIP |
제조업체 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈 - 메모리 유형 Volatile 메모리 포맷 DRAM 기술 SDRAM - DDR2 메모리 크기 2Gb (128M x 16) 메모리 인터페이스 Parallel 시계 주파수 333MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지 15ns 접근 시간 450ps 전압-공급 1.7V ~ 1.9V 작동 온도 -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 84-LFBGA 공급자 장치 패키지 84-LFBGA (10.5x13.5) |
