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S29CL016J0JQFM030

S29CL016J0JQFM030

참조 용

부품 번호 S29CL016J0JQFM030
PNEDA 부품 번호 S29CL016J0JQFM030
설명 IC FLASH 16M PARALLEL 80PQFP
제조업체 Cypress Semiconductor
단가 견적 요청
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S29CL016J0JQFM030 리소스

브랜드 Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호S29CL016J0JQFM030
분류반도체메모리 IC기억

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S29CL016J0JQFM030 사양

제조업체Cypress Semiconductor Corp
시리즈CL-J
메모리 유형Non-Volatile
메모리 포맷FLASH
기술FLASH - NOR
메모리 크기16Mb (512K x 32)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수40MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지60ns
접근 시간54ns
전압-공급1.65V ~ 3.6V
작동 온도-40°C ~ 125°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스80-BQFP
공급자 장치 패키지80-PQFP (20x20)

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제조업체

Sharp Microelectronics

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH

메모리 크기

8Mb (1M x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

85ns

접근 시간

85ns

전압-공급

2.7V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

40-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

공급자 장치 패키지

40-TSOP

IDT71P71604S167BQG8

IDT, Integrated Device Technology

제조업체

IDT, Integrated Device Technology Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Synchronous, DDR II

메모리 크기

18Mb (512K x 36)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

167MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

8.4ns

전압-공급

1.7V ~ 1.9V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

165-TBGA

공급자 장치 패키지

165-CABGA (13x15)

7052L30GB

IDT, Integrated Device Technology

제조업체

IDT, Integrated Device Technology Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Quad Port, Asynchronous

메모리 크기

16Kb (2K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

30ns

접근 시간

30ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

-55°C ~ 125°C (TA)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

108-BPGA

공급자 장치 패키지

108-PGA (30.48x30.48)

AT25020B-SSHL-T

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

2Kb (256 x 8)

메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

20MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

5ms

접근 시간

-

전압-공급

1.8V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

AS4C128M16D3-12BIN

Alliance Memory, Inc.

제조업체

Alliance Memory, Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - DDR3

메모리 크기

2Gb (128M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

800MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

15ns

접근 시간

20ns

전압-공급

1.425V ~ 1.575V

작동 온도

-40°C ~ 95°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

96-TFBGA

공급자 장치 패키지

96-FBGA (9x13)

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