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S25FL128P0XMFI011M

S25FL128P0XMFI011M

참조 용

부품 번호 S25FL128P0XMFI011M
PNEDA 부품 번호 S25FL128P0XMFI011M
설명 IC MEMORY FLASH NOR
제조업체 Cypress Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 3,744
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 13 - 11월 18 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

S25FL128P0XMFI011M 리소스

브랜드 Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호S25FL128P0XMFI011M
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
S25FL128P0XMFI011M, S25FL128P0XMFI011M 데이터 시트 (총 페이지: 44, 크기: 1,128.9 KB)
PDFS25FL128P0XNFI011M 데이터 시트 표지
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S25FL128P0XMFI011M 사양

제조업체Cypress Semiconductor Corp
시리즈FL-P
메모리 유형Non-Volatile
메모리 포맷FLASH
기술FLASH - NOR
메모리 크기128Mb (16M x 8)
메모리 인터페이스SPI
시계 주파수104MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지3µs
접근 시간-
전압-공급2.7V ~ 3.6V
작동 온도-40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
공급자 장치 패키지16-SOIC

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Microchip Technology

시리즈

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메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

2Kb (256 x 8)

메모리 인터페이스

I²C

시계 주파수

400kHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

5ms

접근 시간

900ns

전압-공급

2.5V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TA)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

8-DIP (0.300", 7.62mm)

공급자 장치 패키지

8-PDIP

제조업체

ABLIC U.S.A. Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

32Kb (4K x 8)

메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

5MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

5ms

접근 시간

-

전압-공급

1.6V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SMD, Flat Lead

공급자 장치 패키지

SNT-8A

MT61K256M32JE-13:A TR

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

RAM

기술

SGRAM - GDDR6

메모리 크기

8Gb (256M x 32)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

1.625GHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

1.31V ~ 1.39V

작동 온도

0°C ~ 95°C (TC)

장착 유형

Sub-Base Mount

패키지 / 케이스

180-TFBGA

공급자 장치 패키지

180-FBGA (12x14)

MT29F4G08ABAEAH4-ITS:E

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NAND

메모리 크기

4Gb (512M x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

63-VFBGA

공급자 장치 패키지

63-VFBGA (9x11)

70T3589S133DRI

IDT, Integrated Device Technology

제조업체

IDT, Integrated Device Technology Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Dual Port, Synchronous

메모리 크기

2Mb (64K x 36)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

133MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

4.2ns

전압-공급

2.4V ~ 2.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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