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RT9629BZQW

RT9629BZQW

참조 용

부품 번호 RT9629BZQW
PNEDA 부품 번호 RT9629BZQW
설명 IC FET DVR 3CH SYNC BUCK 24WQFN
제조업체 Richtek USA Inc.
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재고 있음 8,334
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

RT9629BZQW 리소스

브랜드 Richtek USA Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호RT9629BZQW
분류반도체전력 관리 ICPMIC-게이트 드라이버

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RT9629BZQW 사양

제조업체Richtek USA Inc.
시리즈-
구동 구성Half-Bridge
채널 유형3-Phase
드라이버 수6
게이트 유형N-Channel MOSFET
전압-공급4.5V ~ 13.2V
논리 전압-VIL, VIH0.7V, 3.2V
전류-피크 출력 (소스, 싱크)-
입력 유형Inverting, Non-Inverting
높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)15V
상승 / 하강 시간 (일반)25ns, 12ns
작동 온도-40°C ~ 125°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스24-WQFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지24-WQFN (5x5)

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제조업체

Infineon Technologies

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구동 구성

Low-Side

채널 유형

Independent

드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

4.5V ~ 20V

논리 전압-VIL, VIH

-

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

5A, 5A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

5.3ns, 4.5ns

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

PG-DSO-8-60

6SD106EI

Power Integrations

제조업체

Power Integrations

시리즈

SCALE™-1

구동 구성

Low-Side

채널 유형

Synchronous

드라이버 수

6

게이트 유형

IGBT, N-Channel MOSFET

전압-공급

0V ~ 16V

논리 전압-VIL, VIH

-

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

-

입력 유형

Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

100ns, 80ns

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

68-DIP Module, 58 Leads

공급자 장치 패키지

Module

IR21094SPBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Synchronous

드라이버 수

2

게이트 유형

IGBT, N-Channel MOSFET

전압-공급

10V ~ 20V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2.9V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

200mA, 350mA

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

600V

상승 / 하강 시간 (일반)

150ns, 50ns

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

14-SOIC

TC4422AVOA713-VAO

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

구동 구성

Low-Side

채널 유형

Single

드라이버 수

1

게이트 유형

IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET

전압-공급

4.5V ~ 18V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2.4V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

10A, 10A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

38ns, 33ns

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

IR4428STRPBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

구동 구성

Low-Side

채널 유형

Independent

드라이버 수

2

게이트 유형

IGBT, N-Channel MOSFET

전압-공급

6V ~ 20V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2.7V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

2.3A, 3.3A

입력 유형

Inverting, Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

15ns, 10ns

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

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