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RM25C128A-BTAC-B

RM25C128A-BTAC-B

참조 용

부품 번호 RM25C128A-BTAC-B
PNEDA 부품 번호 RM25C128A-BTAC-B
설명 IC CBRAM 128K SPI 5MHZ 8TSSOP
제조업체 Adesto Technologies
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RM25C128A-BTAC-B 리소스

브랜드 Adesto Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호RM25C128A-BTAC-B
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
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RM25C128A-BTAC-B 사양

제조업체Adesto Technologies
시리즈-
메모리 유형Non-Volatile
메모리 포맷CBRAM®
기술CBRAM
메모리 크기128kb (64B Page Size)
메모리 인터페이스SPI
시계 주파수5MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지100µs, 3ms
접근 시간-
전압-공급2.7V ~ 3.6V
작동 온도0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
공급자 장치 패키지8-TSSOP

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메모리 크기

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메모리 인터페이스

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시계 주파수

933MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

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Microchip Technology

시리즈

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메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

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EEPROM

메모리 크기

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시계 주파수

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패키지 / 케이스

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8-SOIC

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Rohm Semiconductor

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

32Kb (4K x 8)

메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

20MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

5ms

접근 시간

-

전압-공급

1.7V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOP-J

FT24C128A-ESR-T

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제조업체

Fremont Micro Devices Ltd

시리즈

*

메모리 유형

-

메모리 포맷

-

기술

-

메모리 크기

-

메모리 인터페이스

-

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

71V124SA12YG8

IDT, Integrated Device Technology

제조업체

IDT, Integrated Device Technology Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Asynchronous

메모리 크기

1Mb (128K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

12ns

접근 시간

12ns

전압-공급

3V ~ 3.6V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

32-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)

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