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RJK6002DPD-00#J2

RJK6002DPD-00#J2

참조 용

부품 번호 RJK6002DPD-00#J2
PNEDA 부품 번호 RJK6002DPD-00-J2
설명 MOSFET N-CH 600V 2A MP3A
제조업체 Renesas Electronics America
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RJK6002DPD-00#J2 리소스

브랜드 Renesas Electronics America
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호RJK6002DPD-00#J2
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
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RJK6002DPD-00#J2 사양

제조업체Renesas Electronics America
시리즈-
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)2A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs6.8Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id-
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs6.2nC @ 10V
Vgs (최대)±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds165pF @ 25V
FET 기능-
전력 손실 (최대)30W (Tc)
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지MP-3A
패키지 / 케이스TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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제조업체

Infineon Technologies

시리즈

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

600V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

20.2A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

190mOhm @ 9.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3.5V @ 630µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

63nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1400pF @ 100V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

151W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

PG-TO247-3

패키지 / 케이스

TO-247-3

DMJ70H1D5SV3

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

700V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

5A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

1.5Ohm @ 1A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

9.8nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

316pF @ 50V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

78W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-251

패키지 / 케이스

TO-251-3 Stub Leads, IPak

MSC280SMA120B

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)

드레인-소스 전압 (Vdss)

1.2kV

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

9.4A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

20V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

350mOhm @ 5A, 20V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.8V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

20nC @ 20V

Vgs (최대)

+25V, -10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

300pF @ 1000V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

55W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-247-3

패키지 / 케이스

TO-247-3

STU4N80K5

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

800V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

2.5Ohm @ 1.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 100µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

10.5nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

175pF @ 100V

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-

전력 손실 (최대)

60W (Tc)

작동 온도

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

9.2A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

18mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

17nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

864pF @ 30V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

1.5W (Ta)

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