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RJH60F7BDPQ-A0#T0

RJH60F7BDPQ-A0#T0

참조 용

부품 번호 RJH60F7BDPQ-A0#T0
PNEDA 부품 번호 RJH60F7BDPQ-A0-T0
설명 IGBT 600V 90A 328.9W TO-247A
제조업체 Renesas Electronics America
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RJH60F7BDPQ-A0#T0 리소스

브랜드 Renesas Electronics America
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호RJH60F7BDPQ-A0#T0
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
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  • RJH60F7BDPQ-A0#T0 Distributor

RJH60F7BDPQ-A0#T0 사양

제조업체Renesas Electronics America
시리즈-
IGBT 유형Trench
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)600V
전류-수집기 (Ic) (최대)90A
전류-수집기 펄스 (Icm)-
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic1.75V @ 15V, 50A
전력-최대328.9W
에너지 전환-
입력 유형Standard
게이트 차지-
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C63ns/142ns
테스트 조건400V, 30A, 5Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)25ns
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-247-3
공급자 장치 패키지TO-247A

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제조업체

ON Semiconductor

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IGBT 유형

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전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

전류-수집기 펄스 (Icm)

160A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 40A

전력-최대

-

에너지 전환

-

입력 유형

Standard

게이트 차지

-

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-

테스트 조건

-

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

Die

공급자 장치 패키지

Die

IXGT6N170A

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제조업체

IXYS

시리즈

-

IGBT 유형

NPT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1700V

전류-수집기 (Ic) (최대)

6A

전류-수집기 펄스 (Icm)

14A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

7V @ 15V, 3A

전력-최대

75W

에너지 전환

590µJ (on), 180µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

18.5nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

46ns/220ns

테스트 조건

850V, 6A, 33Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

공급자 장치 패키지

TO-268

IXBF32N300

IXYS

제조업체

IXYS

시리즈

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IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

3000V

전류-수집기 (Ic) (최대)

40A

전류-수집기 펄스 (Icm)

250A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.2V @ 15V, 32A

전력-최대

160W

에너지 전환

-

입력 유형

Standard

게이트 차지

142nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-

테스트 조건

-

역 복구 시간 (trr)

1.5µs

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

i4-Pac™-5 (3 Leads)

공급자 장치 패키지

ISOPLUS i4-PAC™

RGPR20NS43HRTL

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

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IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

460V

전류-수집기 (Ic) (최대)

20A

전류-수집기 펄스 (Icm)

-

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.0V @ 5V, 10A

전력-최대

107W

에너지 전환

-

입력 유형

Standard

게이트 차지

14nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

500ns/4µs

테스트 조건

300V, 8A, 100Ohm, 5V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

LPDS

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ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

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게이트 차지

15.1nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-/3.64µs

테스트 조건

300V, 1kOhm, 5V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

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패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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