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RGTH40TS65DGC11

RGTH40TS65DGC11

참조 용

부품 번호 RGTH40TS65DGC11
PNEDA 부품 번호 RGTH40TS65DGC11
설명 IGBT 650V 40A 144W TO-247N
제조업체 Rohm Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 5,004
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 6월 22 - 6월 27 (신속 배송 선택)
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RGTH40TS65DGC11 리소스

브랜드 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호RGTH40TS65DGC11
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일

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RGTH40TS65DGC11 사양

제조업체Rohm Semiconductor
시리즈-
IGBT 유형Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)650V
전류-수집기 (Ic) (최대)40A
전류-수집기 펄스 (Icm)80A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.1V @ 15V, 20A
전력-최대144W
에너지 전환-
입력 유형Standard
게이트 차지40nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C22ns/73ns
테스트 조건400V, 20A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)58ns
작동 온도-40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-247-3
공급자 장치 패키지TO-247N

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Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

Trench

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

85A

전류-수집기 펄스 (Icm)

200A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 30A

전력-최대

313W

에너지 전환

1.21mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

180nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-/270ns

테스트 조건

600V, 30A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247AD

IRG7PH42UD-EP

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

Trench

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

85A

전류-수집기 펄스 (Icm)

90A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 30A

전력-최대

320W

에너지 전환

2.11mJ (on), 1.18mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

157nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

25ns/229ns

테스트 조건

600V, 30A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

153ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247AD

IRGP4263D1PBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

90A

전류-수집기 펄스 (Icm)

192A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 48A

전력-최대

325W

에너지 전환

2.9mJ (on), 1.4mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

145nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

70ns/140ns

테스트 조건

400V, 48A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

170ns

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247

IXBT42N170

IXYS

제조업체

IXYS

시리즈

BIMOSFET™

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1700V

전류-수집기 (Ic) (최대)

80A

전류-수집기 펄스 (Icm)

300A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.8V @ 15V, 42A

전력-최대

360W

에너지 전환

-

입력 유형

Standard

게이트 차지

188nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-

테스트 조건

-

역 복구 시간 (trr)

1.32µs

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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전류-수집기 (Ic) (최대)

80A

전류-수집기 펄스 (Icm)

120A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 40A

전력-최대

333W

에너지 전환

2.35mJ (on), 1.15mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

265nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

29ns/285ns

테스트 조건

600V, 40A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

78ns

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

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