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RCJ450N20TL

RCJ450N20TL

참조 용

부품 번호 RCJ450N20TL
PNEDA 부품 번호 RCJ450N20TL
설명 MOSFET N-CH 200V 45A LPTS
제조업체 Rohm Semiconductor
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

RCJ450N20TL 리소스

브랜드 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호RCJ450N20TL
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
RCJ450N20TL, RCJ450N20TL 데이터 시트 (총 페이지: 9, 크기: 585.51 KB)
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RCJ450N20TL 사양

제조업체Rohm Semiconductor
시리즈-
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)200V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)45A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs55mOhm @ 22.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs80nC @ 10V
Vgs (최대)±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds4200pF @ 25V
FET 기능-
전력 손실 (최대)1.56W (Ta), 40W (Tc)
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지LPTS
패키지 / 케이스TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

75A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

7.4mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

24nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1730pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

96W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-220AB

패키지 / 케이스

TO-220-3

HUF75345S3S

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

UltraFET™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

55V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

75A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

7mOhm @ 75A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

275nC @ 20V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

4000pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

325W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

D²PAK (TO-263AB)

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

NP34N055SLE-E1-AY

Renesas Electronics America

제조업체

Renesas Electronics America

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

55V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

34A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

18mOhm @ 17A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

72nC @ 5V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

3000pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

1.2W (Ta), 88W (Tc)

작동 온도

175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

TO-252 (MP-3ZK)

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

STU4N52K3

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

SuperMESH3™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

525V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2.5A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

2.6Ohm @ 1.25A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4.5V @ 50µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

11nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

334pF @ 100V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

45W (Tc)

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

I-PAK

패키지 / 케이스

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

IRF3205LPBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

HEXFET®

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

55V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

110A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

8mOhm @ 62A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

146nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

3247pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

200W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

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