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RAL045P01TCR

RAL045P01TCR

참조 용

부품 번호 RAL045P01TCR
PNEDA 부품 번호 RAL045P01TCR
설명 MOSFET P-CH 12V 4.5A TUMT6
제조업체 Rohm Semiconductor
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RAL045P01TCR 리소스

브랜드 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호RAL045P01TCR
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
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  • RAL045P01TCR Distributor

RAL045P01TCR 사양

제조업체Rohm Semiconductor
시리즈-
FET 유형P-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)12V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)4.5A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)1.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs30mOhm @ 4.5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id1V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs40nC @ 4.5V
Vgs (최대)-8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds4200pF @ 6V
FET 기능-
전력 손실 (최대)1W (Ta)
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지TUMT6
패키지 / 케이스6-SMD, Flat Leads

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ON Semiconductor

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

650V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

19A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

165mOhm @ 9.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4.5V @ 1.9mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

35nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1415pF @ 400V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

35W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

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패키지 / 케이스

TO-220-3 Full Pack

FQPF6N40C

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

400V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

6A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

1Ohm @ 3A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

20nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

625pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

38W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-220F

패키지 / 케이스

TO-220-3 Full Pack

IPL60R105P7AUMA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

CoolMOS™ P7

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

650V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

33A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

105mOhm @ 10.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 530µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

45nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1952pF @ 400V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

137W (Tc)

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

PG-VSON-4

패키지 / 케이스

4-PowerTSFN

IPB64N25S320ATMA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

OptiMOS™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

250V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

64A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

20mOhm @ 64A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 270µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

89nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

7000pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

300W (Tc)

작동 온도

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Surface Mount

공급자 장치 패키지

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드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

380mOhm @ 5.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

20.5nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1040pF @ 100V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

125W (Tc)

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