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R9G03612XX

R9G03612XX

참조 용

부품 번호 R9G03612XX
PNEDA 부품 번호 R9G03612XX
설명 DIODE GP 3.6KV 1200A DO200AA R62
제조업체 Powerex Inc.
단가 견적 요청
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R9G03612XX 리소스

브랜드 Powerex Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호R9G03612XX
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글
데이터 시트
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R9G03612XX 사양

제조업체Powerex Inc.
시리즈-
다이오드 유형Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)3600V
전류-평균 정류 (Io)1200A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.45V @ 1500A
속도Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)25µs
전류-역방향 누설 @ Vr150mA @ 3600V
커패시턴스 @ Vr, F-
장착 유형Chassis Mount
패키지 / 케이스DO-200AA, A-PUK
공급자 장치 패키지DO-200AA, R62
작동 온도-접합-

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다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

60V

전류-평균 정류 (Io)

200mA (DC)

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

600mV @ 200mA

속도

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

100µA @ 60V

커패시턴스 @ Vr, F

14pF @ 1V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

SOD-523

작동 온도-접합

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Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

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다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

100V

전류-평균 정류 (Io)

16A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

850mV @ 16A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

300µA @ 100V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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제조업체

Panasonic Electronic Components

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

30V

전류-평균 정류 (Io)

30mA (DC)

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1V @ 30mA

속도

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

역 복구 시간 (trr)

1ns

전류-역방향 누설 @ Vr

300nA @ 30V

커패시턴스 @ Vr, F

1.5pF @ 10V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

Mini3-G3-B

작동 온도-접합

125°C (Max)

RSX201LAM30TFTR

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제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

Automotive, AEC-Q101

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

30V

전류-평균 정류 (Io)

2A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

150µA @ 30V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOD-128

공급자 장치 패키지

PMDTM

작동 온도-접합

150°C (Max)

1N4002B-G

Comchip Technology

제조업체

Comchip Technology

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

100V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 1A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 100V

커패시턴스 @ Vr, F

15pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Through Hole

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