QJD1210010
참조 용
| 부품 번호 | QJD1210010 |
| PNEDA 부품 번호 | QJD1210010 |
| 설명 | MOSFET 2N-CH 1200V 100A SIC |
| 제조업체 | Powerex Inc. |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 8,136 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 7월 20 - 7월 25 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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QJD1210010 리소스
| 브랜드 | Powerex Inc. |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | QJD1210010 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
| 데이터 시트 |
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QJD1210010 사양
| 제조업체 | Powerex Inc. |
| 시리즈 | - |
| FET 유형 | 2 N-Channel (Dual) |
| FET 기능 | Silicon Carbide (SiC) |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 100A (Tc) |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 25mOhm @ 100A, 20V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 5V @ 10mA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 500nC @ 20V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 10200pF @ 800V |
| 전력-최대 | 1080W |
| 작동 온도 | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| 장착 유형 | Chassis Mount |
| 패키지 / 케이스 | Module |
| 공급자 장치 패키지 | Module |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - FET 유형 - FET 기능 - 드레인-소스 전압 (Vdss) - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) - Rds On (최대) @ Id, Vgs - Vgs (th) (최대) @ Id - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds - 전력-최대 - 작동 온도 - 장착 유형 - 패키지 / 케이스 - 공급자 장치 패키지 - |
제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Half Bridge) FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 72A Rds On (최대) @ Id, Vgs 35mOhm @ 72A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 3.9V @ 5.4mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 518nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 14000pF @ 25V 전력-최대 416W 작동 온도 -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Chassis Mount 패키지 / 케이스 SP1 공급자 장치 패키지 SP1 |
제조업체 Vishay Siliconix 시리즈 TrenchFET® FET 유형 2 P-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 12V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 5.3A Rds On (최대) @ Id, Vgs 37mOhm @ 7.7A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 1V @ 700µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 24nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds - 전력-최대 1.3W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 PowerPAK® 1212-8 Dual 공급자 장치 패키지 PowerPAK® 1212-8 Dual |
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