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PTFA261301F V1

PTFA261301F V1

참조 용

부품 번호 PTFA261301F V1
PNEDA 부품 번호 PTFA261301F-V1
설명 IC FET RF LDMOS 130W H-31260-2
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 3,598
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 6월 16 - 6월 21 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

PTFA261301F V1 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호PTFA261301F V1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
PTFA261301F V1, PTFA261301F V1 데이터 시트 (총 페이지: 12, 크기: 249.91 KB)
PDFPTFA261301F V1 데이터 시트 표지
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  • PTFA261301F V1 Distributor

PTFA261301F V1 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈GOLDMOS®
트랜지스터 유형LDMOS
주파수2.68GHz
이득13.5dB
전압-테스트28V
전류 정격 (Amps)10µA
소음 수치-
현재-테스트1.4A
전원-출력130W
전압-정격65V
패키지 / 케이스2-Flatpack, Fin Leads, Flanged
공급자 장치 패키지H-31260-2

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전류 정격 (Amps)

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NXP USA Inc.

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트랜지스터 유형

N-Channel JFET

주파수

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25mA

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패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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Cree/Wolfspeed

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트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

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이득

16.5dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

10µA

소음 수치

-

현재-테스트

550mA

전원-출력

60W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

H-36265-2

공급자 장치 패키지

H-36265-2

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

945MHz

이득

18.8dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

350mA

전원-출력

45W

전압-정격

65V

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공급자 장치 패키지

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