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PMN55ENEX

PMN55ENEX

참조 용

부품 번호 PMN55ENEX
PNEDA 부품 번호 PMN55ENEX
설명 MOSFET N-CH 60V 4.5A 6TSOP
제조업체 Nexperia
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

PMN55ENEX 리소스

브랜드 Nexperia
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호PMN55ENEX
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
PMN55ENEX, PMN55ENEX 데이터 시트 (총 페이지: 15, 크기: 271.37 KB)
PDFPMN55ENEX 데이터 시트 표지
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PMN55ENEX 사양

제조업체Nexperia USA Inc.
시리즈TrenchMOS™
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)4.5A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs60mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id2.7V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs19nC @ 10V
Vgs (최대)±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds646pF @ 30V
FET 기능-
전력 손실 (최대)560mW (Ta), 6.25mW (Tc)
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지6-TSOP
패키지 / 케이스SC-74, SOT-457

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STMicroelectronics

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

250V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

14A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

235mOhm @ 6.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

18nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

680pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

100W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-220AB

패키지 / 케이스

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IRFI9530GPBF

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

-

FET 유형

P-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

7.7A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

300mOhm @ 4.6A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

38nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

860pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

42W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-220-3

패키지 / 케이스

TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

TK10A80E,S4X

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제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

π-MOSVIII

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

800V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

10A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

1Ohm @ 5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

46nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2000pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

50W (Tc)

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-220SIS

패키지 / 케이스

TO-220-3 Full Pack

IRF2807ZSTRLPBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

HEXFET®

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

75V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

75A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

9.4mOhm @ 53A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

110nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

3270pF @ 25V

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-

전력 손실 (최대)

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드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

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Rds On (최대) @ Id, Vgs

5.2mOhm @ 80A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3.8V @ 91µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

68nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

4750pF @ 37.5V

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-

전력 손실 (최대)

150W (Tc)

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