PMN23UN,135
참조 용
| 부품 번호 | PMN23UN,135 |
| PNEDA 부품 번호 | PMN23UN-135 |
| 설명 | MOSFET N-CH 20V 6.3A 6TSOP |
| 제조업체 | NXP |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 5,022 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 7월 16 - 7월 21 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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PMN23UN 리소스
| 브랜드 | NXP |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | PMN23UN,135 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-단일 |
| 데이터 시트 |
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PMN23UN 사양
| 제조업체 | NXP USA Inc. |
| 시리즈 | TrenchMOS™ |
| FET 유형 | N-Channel |
| 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 20V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 6.3A (Tc) |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 28mOhm @ 2A, 4.5V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 700mV @ 1mA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 10.6nC @ 4.5V |
| Vgs (최대) | ±8V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 740pF @ 10V |
| FET 기능 | - |
| 전력 손실 (최대) | 1.75W (Tc) |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 공급자 장치 패키지 | 6-TSOP |
| 패키지 / 케이스 | SC-74, SOT-457 |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 IXYS 시리즈 TrenchT2™ FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 75V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 70A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 12mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 46nC @ 10V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 2725pF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 150W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 TO-263 (IXTA) 패키지 / 케이스 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
제조업체 Vishay Siliconix 시리즈 TrenchFET® FET 유형 P-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 50A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 13mOhm @ 17A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 90nC @ 10V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 3590pF @ 20V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 3W (Ta), 136W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 TO-252, (D-Pak) 패키지 / 케이스 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 3A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 1.8V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs 89mOhm @ 1.5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 3.5nC @ 4.5V Vgs (최대) ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 265pF @ 10V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 800mW (Ta) 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 6-SCH 패키지 / 케이스 SOT-563, SOT-666 |
제조업체 Infineon Technologies 시리즈 CoolSiC™ FET 유형 N-Channel 기술 SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) 드레인-소스 전압 (Vdss) 1.2kV 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 56A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 15V, 18V Rds On (최대) @ Id, Vgs 40mOhm @ 25A, 18V Vgs (th) (최대) @ Id 5.7V @ 10mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 63nC @ 18V Vgs (최대) +23V, -7V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 2.12nF @ 800V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 227W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 공급자 장치 패키지 PG-TO247-3-41 패키지 / 케이스 TO-247-3 |
제조업체 Infineon Technologies 시리즈 SIPMOS® FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 1.7A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 300mOhm @ 1.7A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 4V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs - Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 550pF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 1.8W (Ta) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 PG-SOT223-4 패키지 / 케이스 TO-261-4, TO-261AA |
