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PMGD175XNEAX

PMGD175XNEAX

참조 용

부품 번호 PMGD175XNEAX
PNEDA 부품 번호 PMGD175XNEAX
설명 MOSFET 2 N-CH 30V 900MA SOT363
제조업체 Nexperia
단가 견적 요청
재고 있음 8,640
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 6월 23 - 6월 28 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

PMGD175XNEAX 리소스

브랜드 Nexperia
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호PMGD175XNEAX
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
PMGD175XNEAX, PMGD175XNEAX 데이터 시트 (총 페이지: 15, 크기: 258.1 KB)
PDFPMGD175XNEAX 데이터 시트 표지
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PMGD175XNEAX 사양

제조업체Nexperia USA Inc.
시리즈-
FET 유형2 N-Channel (Dual)
FET 기능Standard
드레인-소스 전압 (Vdss)30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)900mA (Ta)
Rds On (최대) @ Id, Vgs252mOhm @ 900mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id1.25V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs1.65nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds81pF @ 15V
전력-최대390mW
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지6-TSSOP

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N and P-Channel

FET 기능

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드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

7.5A, 5A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

17mOhm @ 4A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

10.8nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1060pF @ 10V

전력-최대

1.5W

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SMD, Flat Lead

공급자 장치 패키지

8-ECH

DMC1016UPD-13

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

12V, 20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

9.5A, 8.7A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

17mOhm @ 11.8A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

32nC @ 8V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1454pF @ 6V

전력-최대

2.3W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-PowerTDFN

공급자 장치 패키지

PowerDI5060-8

SI5915BDC-T1-E3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

TrenchFET®

FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

8V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

70mOhm @ 3.3A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

14nC @ 8V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

420pF @ 4V

전력-최대

3.1W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SMD, Flat Lead

공급자 장치 패키지

1206-8 ChipFET™

제조업체

IXYS

시리즈

TrenchMV™

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

55V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

140A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

4.4mOhm @ 50A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

170nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

7600pF @ 25V

전력-최대

150W

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

ISOPLUSi5-Pak™

공급자 장치 패키지

ISOPLUSi5-Pak™

NDM3000

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제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

90mOhm @ 3A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

25nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

360pF @ 10V

전력-최대

1.4W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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