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PMEG2015EJ,115

PMEG2015EJ,115

참조 용

부품 번호 PMEG2015EJ,115
PNEDA 부품 번호 PMEG2015EJ-115
설명 DIODE SCHOTTKY 20V 1.5A SOD323F
제조업체 Nexperia
단가 견적 요청
재고 있음 84,678
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 7월 12 - 7월 17 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

PMEG2015EJ 리소스

브랜드 Nexperia
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호PMEG2015EJ,115
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글
데이터 시트
PMEG2015EJ, PMEG2015EJ 데이터 시트 (총 페이지: 9, 크기: 688.39 KB)
PDFPMEG2015EH 데이터 시트 표지
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PMEG2015EJ 사양

제조업체Nexperia USA Inc.
시리즈-
다이오드 유형Schottky
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)20V
전류-평균 정류 (Io)1.5A (DC)
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If660mV @ 1.5A
속도Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)-
전류-역방향 누설 @ Vr70µA @ 20V
커패시턴스 @ Vr, F50pF @ 1V, 1MHz
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스SC-90, SOD-323F
공급자 장치 패키지SOD-323F
작동 온도-접합150°C (Max)

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

60V

전류-평균 정류 (Io)

10A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

710mV @ 10A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

100µA @ 60V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

TO-263AB

작동 온도-접합

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Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

800V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.7V @ 1A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

75ns

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 800V

커패시턴스 @ Vr, F

10pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AL, DO-41, Axial

공급자 장치 패키지

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Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

Automotive, AEC-Q101

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

50V

전류-평균 정류 (Io)

30mA

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1V @ 15mA

속도

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

200nA @ 200V

커패시턴스 @ Vr, F

1.6pF @ 1V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOD-80 Variant

공급자 장치 패키지

SOD-80 QuadroMELF

작동 온도-접합

125°C (Max)

S1MB-13-F

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

1000V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 1A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

3µs

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 1000V

커패시턴스 @ Vr, F

10pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

SMB

작동 온도-접합

-65°C ~ 150°C

ES3J V7G

Taiwan Semiconductor Corporation

제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

600V

전류-평균 정류 (Io)

3A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.7V @ 3A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

35ns

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 600V

커패시턴스 @ Vr, F

30pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

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