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PI5101-01-LGIZ

PI5101-01-LGIZ

참조 용

부품 번호 PI5101-01-LGIZ
PNEDA 부품 번호 PI5101-01-LGIZ
설명 MOSFET N-CH 5V 60A 3LGA
제조업체 Vicor
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PI5101-01-LGIZ 리소스

브랜드 Vicor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호PI5101-01-LGIZ
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
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PI5101-01-LGIZ 사양

제조업체Vicor Corporation
시리즈Picor® µRDS(on)FET®
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)5V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)60A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)3.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs0.45mOhm @ 60A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id800mV @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs65nC @ 4.5V
Vgs (최대)±5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds7600pF @ 5V
FET 기능-
전력 손실 (최대)3.1W (Ta)
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지3-LGA (4.1x8)
패키지 / 케이스3-FLGA

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ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

30A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

46mOhm @ 15A, 5V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

32nC @ 5V

Vgs (최대)

±15V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1150pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

88.2W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

D2PAK

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

SQD40030E_GE3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

65nC @ 10V

Vgs (최대)

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

TO-252AA

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

TPN2R503NC,L1Q

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제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

U-MOSVIII

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

40A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

2.5mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.3V @ 500µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

40nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2230pF @ 15V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

700mW (Ta), 35W (Tc)

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

8-TSON Advance (3.3x3.3)

패키지 / 케이스

8-PowerVDFN

NTD70N03RG

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

25V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

10A (Ta), 32A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

8mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

13.2nC @ 5V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1333pF @ 20V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

1.36W (Ta), 62.5W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

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Surface Mount

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드레인-소스 전압 (Vdss)

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

14A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

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12mOhm @ 15A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

33nC @ 5V

Vgs (최대)

±12V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2335pF @ 16V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

3.1W (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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