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PDTC143ZK,115

PDTC143ZK,115

참조 용

부품 번호 PDTC143ZK,115
PNEDA 부품 번호 PDTC143ZK-115
설명 TRANS PREBIAS NPN 250MW SMT3
제조업체 NXP
단가 견적 요청
재고 있음 4,680
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 7월 9 - 7월 14 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

PDTC143ZK 리소스

브랜드 NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호PDTC143ZK,115
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스
데이터 시트
PDTC143ZK, PDTC143ZK 데이터 시트 (총 페이지: 14, 크기: 93.66 KB)
PDFPDTC143ZS 데이터 시트 표지
PDTC143ZS 데이터 시트 페이지 2 PDTC143ZS 데이터 시트 페이지 3 PDTC143ZS 데이터 시트 페이지 4 PDTC143ZS 데이터 시트 페이지 5 PDTC143ZS 데이터 시트 페이지 6 PDTC143ZS 데이터 시트 페이지 7 PDTC143ZS 데이터 시트 페이지 8 PDTC143ZS 데이터 시트 페이지 9 PDTC143ZS 데이터 시트 페이지 10 PDTC143ZS 데이터 시트 페이지 11

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  • PDTC143ZK,115 Distributor

PDTC143ZK 사양

제조업체NXP USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형NPN - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대)100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)50V
저항-베이스 (R1)4.7 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2)47 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce100 @ 10mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic100mV @ 250µA, 5mA
전류-수집기 차단 (최대)1µA
주파수-전환-
전력-최대250mW
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지SMT3; MPAK

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Toshiba Semiconductor and Storage

제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN - Pre-Biased

전류-수집기 (Ic) (최대)

50mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

20V

저항-베이스 (R1)

10 kOhms

저항-이미 터베이스 (R2)

10 kOhms

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

60 @ 10mA, 5V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

150mV @ 250µA, 5mA

전류-수집기 차단 (최대)

500nA

주파수-전환

-

전력-최대

50mW

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-101, SOT-883

공급자 장치 패키지

CST3

PDTC143TU,115

Nexperia

제조업체

Nexperia USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN - Pre-Biased

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

저항-베이스 (R1)

4.7 kOhms

저항-이미 터베이스 (R2)

-

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

200 @ 1mA, 5V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

100mV @ 250µA, 5mA

전류-수집기 차단 (최대)

1µA

주파수-전환

-

전력-최대

200mW

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-70, SOT-323

공급자 장치 패키지

SC-70

RN1412TE85LF

Toshiba Semiconductor and Storage

제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN - Pre-Biased

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

저항-베이스 (R1)

22 kOhms

저항-이미 터베이스 (R2)

-

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

120 @ 1mA, 5V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

300mV @ 250µA, 5mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

주파수-전환

250MHz

전력-최대

200mW

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

S-Mini

DDTC113TUA-7

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN - Pre-Biased

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

저항-베이스 (R1)

1 kOhms

저항-이미 터베이스 (R2)

-

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

100 @ 1mA, 5V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

300mV @ 1mA, 10mA

전류-수집기 차단 (최대)

500nA (ICBO)

주파수-전환

250MHz

전력-최대

200mW

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-70, SOT-323

공급자 장치 패키지

SOT-323

PDTC124XM,315

Nexperia

제조업체

Nexperia USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN - Pre-Biased

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

저항-베이스 (R1)

22 kOhms

저항-이미 터베이스 (R2)

47 kOhms

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

80 @ 5mA, 5V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

150mV @ 500µA, 10mA

전류-수집기 차단 (최대)

1µA

주파수-전환

-

전력-최대

250mW

장착 유형

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패키지 / 케이스

SC-101, SOT-883

공급자 장치 패키지

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ACF321825-103-TD01

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FMR0H104ZF

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