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PC81710NSZ0X

PC81710NSZ0X

참조 용

부품 번호 PC81710NSZ0X
PNEDA 부품 번호 PC81710NSZ0X
설명 OPTOISOLATOR 5KV TRANS 4DIP
제조업체 SHARP/Socle Technology
단가 견적 요청
재고 있음 2,502
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

PC81710NSZ0X 리소스

브랜드 SHARP/Socle Technology
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호PC81710NSZ0X
분류반도체절연체광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

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PC81710NSZ0X 사양

제조업체SHARP/Socle Technology
시리즈-
채널 수1
전압-절연5000Vrms
전류 전송 비율 (최소)100% @ 500µA
전류 전송 비율 (최대)600% @ 500µA
켜기 / 끄기 시간 (일반)-
상승 / 하강 시간 (일반)4µs, 3µs
입력 유형DC
출력 유형Transistor
전압-출력 (최대)80V
전류-출력 / 채널50mA
전압-순방향 (Vf) (통상)1.2V
전류-DC 순방향 (If) (최대)10mA
Vce 포화 (최대)200mV
작동 온도-30°C ~ 100°C
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스4-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지4-DIP

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ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

채널 수

1

전압-절연

5300Vrms

전류 전송 비율 (최소)

120% @ 5mA

전류 전송 비율 (최대)

-

켜기 / 끄기 시간 (일반)

3µs, 12µs

상승 / 하강 시간 (일반)

2.5µs, 16µs

입력 유형

DC

출력 유형

Transistor with Base

전압-출력 (최대)

30V

전류-출력 / 채널

150mA

전압-순방향 (Vf) (통상)

1.25V

전류-DC 순방향 (If) (최대)

50mA

Vce 포화 (최대)

400mV

작동 온도

-55°C ~ 100°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

6-DIP (0.400", 10.16mm)

공급자 장치 패키지

6-DIP

TIL111W

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

채널 수

1

전압-절연

5300Vrms

전류 전송 비율 (최소)

-

전류 전송 비율 (최대)

-

켜기 / 끄기 시간 (일반)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

-

입력 유형

DC

출력 유형

Transistor with Base

전압-출력 (최대)

30V

전류-출력 / 채널

2mA

전압-순방향 (Vf) (통상)

1.2V

전류-DC 순방향 (If) (최대)

100mA

Vce 포화 (최대)

400mV

작동 온도

-55°C ~ 100°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

6-DIP (0.400", 10.16mm)

공급자 장치 패키지

6-DIP

HCPL-2731#020

Broadcom

제조업체

Broadcom Limited

시리즈

-

채널 수

2

전압-절연

5000Vrms

전류 전송 비율 (최소)

500% @ 1.6mA

전류 전송 비율 (최대)

2600% @ 1.6mA

켜기 / 끄기 시간 (일반)

5µs, 10µs

상승 / 하강 시간 (일반)

-

입력 유형

DC

출력 유형

Darlington

전압-출력 (최대)

18V

전류-출력 / 채널

60mA

전압-순방향 (Vf) (통상)

1.4V

전류-DC 순방향 (If) (최대)

12mA

Vce 포화 (최대)

100mV

작동 온도

0°C ~ 70°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

8-DIP (0.300", 7.62mm)

공급자 장치 패키지

8-DIP

CQY80N

Vishay Semiconductor Opto Division

제조업체

Vishay Semiconductor Opto Division

시리즈

-

채널 수

1

전압-절연

5000Vrms

전류 전송 비율 (최소)

50% @ 10mA

전류 전송 비율 (최대)

-

켜기 / 끄기 시간 (일반)

11µs, 7µs

상승 / 하강 시간 (일반)

7µs, 6.7µs

입력 유형

DC

출력 유형

Transistor with Base

전압-출력 (최대)

32V

전류-출력 / 채널

50mA

전압-순방향 (Vf) (통상)

1.25V

전류-DC 순방향 (If) (최대)

60mA

Vce 포화 (최대)

300mV

작동 온도

-55°C ~ 100°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

6-DIP (0.300", 7.62mm)

공급자 장치 패키지

6-DIP

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제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

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채널 수

1

전압-절연

3750Vrms

전류 전송 비율 (최소)

200% @ 5mA

전류 전송 비율 (최대)

400% @ 5mA

켜기 / 끄기 시간 (일반)

3µs, 3µs

상승 / 하강 시간 (일반)

2µs, 3µs

입력 유형

DC

출력 유형

Transistor

전압-출력 (최대)

80V

전류-출력 / 채널

50mA

전압-순방향 (Vf) (통상)

1.25V

전류-DC 순방향 (If) (최대)

50mA

Vce 포화 (최대)

300mV

작동 온도

-55°C ~ 110°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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