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PC367N2TJ00F

PC367N2TJ00F

참조 용

부품 번호 PC367N2TJ00F
PNEDA 부품 번호 PC367N2TJ00F
설명 OPTOISO 3.75KV TRANS 4-MINI-FLAT
제조업체 Sharp Microelectronics
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PC367N2TJ00F 리소스

브랜드 Sharp Microelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호PC367N2TJ00F
분류반도체절연체광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력
데이터 시트
PC367N2TJ00F, PC367N2TJ00F 데이터 시트 (총 페이지: 14, 크기: 431.58 KB)
PDFPC367N2TJ00F 데이터 시트 표지
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PC367N2TJ00F 사양

제조업체Sharp Microelectronics
시리즈-
채널 수1
전압-절연3750Vrms
전류 전송 비율 (최소)200% @ 500µA
전류 전송 비율 (최대)400% @ 500µA
켜기 / 끄기 시간 (일반)-
상승 / 하강 시간 (일반)4µs, 3µs
입력 유형DC
출력 유형Transistor
전압-출력 (최대)80V
전류-출력 / 채널50mA
전압-순방향 (Vf) (통상)1.2V
전류-DC 순방향 (If) (최대)10mA
Vce 포화 (최대)200mV
작동 온도-30°C ~ 100°C
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스4-SMD, Gull Wing
공급자 장치 패키지4-Mini-Flat

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TT Electronics/Optek Technology

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1

전압-절연

1000VDC

전류 전송 비율 (최소)

200% @ 10mA

전류 전송 비율 (최대)

-

켜기 / 끄기 시간 (일반)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

3µs, 3µs

입력 유형

DC

출력 유형

Transistor

전압-출력 (최대)

35V

전류-출력 / 채널

-

전압-순방향 (Vf) (통상)

1.6V (Max)

전류-DC 순방향 (If) (최대)

50mA

Vce 포화 (최대)

300mV

작동 온도

-55°C ~ 125°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

4-SMD, No Lead

공급자 장치 패키지

4-SMD

MOCD207VM

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제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

채널 수

2

전압-절연

2500Vrms

전류 전송 비율 (최소)

100% @ 10mA

전류 전송 비율 (최대)

200% @ 10mA

켜기 / 끄기 시간 (일반)

7.5µs, 5.7µs

상승 / 하강 시간 (일반)

3.2µs, 4.7µs

입력 유형

DC

출력 유형

Transistor

전압-출력 (최대)

70V

전류-출력 / 채널

150mA

전압-순방향 (Vf) (통상)

1.25V

전류-DC 순방향 (If) (최대)

60mA

Vce 포화 (최대)

400mV

작동 온도

-40°C ~ 100°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

6N140A

Broadcom

제조업체

Broadcom Limited

시리즈

-

채널 수

4

전압-절연

1500VDC

전류 전송 비율 (최소)

200% @ 5mA

전류 전송 비율 (최대)

-

켜기 / 끄기 시간 (일반)

2µs, 8µs

상승 / 하강 시간 (일반)

-

입력 유형

DC

출력 유형

Darlington

전압-출력 (최대)

20V

전류-출력 / 채널

40mA

전압-순방향 (Vf) (통상)

1.4V

전류-DC 순방향 (If) (최대)

10mA

Vce 포화 (최대)

110mV

작동 온도

-55°C ~ 125°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

16-DIP (0.300", 7.62mm)

공급자 장치 패키지

16-DIP

JAN4N23A

TT Electronics/Optek Technology

제조업체

TT Electronics/Optek Technology

시리즈

-

채널 수

1

전압-절연

1000VDC

전류 전송 비율 (최소)

60% @ 10mA

전류 전송 비율 (최대)

-

켜기 / 끄기 시간 (일반)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

20µs, 20µs (Max)

입력 유형

DC

출력 유형

Transistor with Base

전압-출력 (최대)

40V

전류-출력 / 채널

50mA

전압-순방향 (Vf) (통상)

1.5V (Max)

전류-DC 순방향 (If) (최대)

40mA

Vce 포화 (최대)

300mV

작동 온도

-55°C ~ 125°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-78-6 Metal Can

공급자 장치 패키지

TO-78-6

TLP550(F)

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제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

-

채널 수

1

전압-절연

2500Vrms

전류 전송 비율 (최소)

10% @ 16mA

전류 전송 비율 (최대)

-

켜기 / 끄기 시간 (일반)

300ns, 1µs

상승 / 하강 시간 (일반)

-

입력 유형

DC

출력 유형

Transistor

전압-출력 (최대)

15V

전류-출력 / 채널

8mA

전압-순방향 (Vf) (통상)

1.65V

전류-DC 순방향 (If) (최대)

25mA

Vce 포화 (최대)

-

작동 온도

-55°C ~ 100°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

8-DIP (0.300", 7.62mm)

공급자 장치 패키지

8-DIP

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