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PC28F128M29EWLX

PC28F128M29EWLX

참조 용

부품 번호 PC28F128M29EWLX
PNEDA 부품 번호 PC28F128M29EWLX
설명 IC FLASH 128M PARALLEL 64FBGA
제조업체 Micron Technology Inc.
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

PC28F128M29EWLX 리소스

브랜드 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호PC28F128M29EWLX
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
PC28F128M29EWLX, PC28F128M29EWLX 데이터 시트 (총 페이지: 87, 크기: 980.97 KB)
PDFPZ28F064M29EWTX 데이터 시트 표지
PZ28F064M29EWTX 데이터 시트 페이지 2 PZ28F064M29EWTX 데이터 시트 페이지 3 PZ28F064M29EWTX 데이터 시트 페이지 4 PZ28F064M29EWTX 데이터 시트 페이지 5 PZ28F064M29EWTX 데이터 시트 페이지 6 PZ28F064M29EWTX 데이터 시트 페이지 7 PZ28F064M29EWTX 데이터 시트 페이지 8 PZ28F064M29EWTX 데이터 시트 페이지 9 PZ28F064M29EWTX 데이터 시트 페이지 10 PZ28F064M29EWTX 데이터 시트 페이지 11

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PC28F128M29EWLX 사양

제조업체Micron Technology Inc.
시리즈-
메모리 유형Non-Volatile
메모리 포맷FLASH
기술FLASH - NOR
메모리 크기128Mb (16M x 8, 8M x 16)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수-
쓰기주기 시간-단어, 페이지60ns
접근 시간60ns
전압-공급2.7V ~ 3.6V
작동 온도-40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스64-LBGA
공급자 장치 패키지64-FBGA (11x13)

관심을 가질만한 제품

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IDT, Integrated Device Technology

제조업체

IDT, Integrated Device Technology Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Dual Port, Asynchronous

메모리 크기

4.5Mb (128K x 36)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

10ns

접근 시간

10ns

전압-공급

3.15V ~ 3.45V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

208-BFQFP

공급자 장치 패키지

208-PQFP (28x28)

6116LA70DB

IDT, Integrated Device Technology

제조업체

IDT, Integrated Device Technology Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Asynchronous

메모리 크기

16Kb (2K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

70ns

접근 시간

70ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

-55°C ~ 125°C (TA)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

24-CDIP (0.600", 15.24mm)

공급자 장치 패키지

24-CDIP

MT51K256M32HF-70:A

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

RAM

기술

SGRAM - GDDR5

메모리 크기

8Gb (256M x 32)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

1.75GHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

-

작동 온도

0°C ~ 95°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

170-TFBGA

공급자 장치 패키지

170-FBGA (12x14)

70V7519S166BC8

IDT, Integrated Device Technology

제조업체

IDT, Integrated Device Technology Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Dual Port, Synchronous

메모리 크기

9Mb (256K x 36)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

166MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

3.6ns

전압-공급

3.15V ~ 3.45V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

256-LBGA

공급자 장치 패키지

256-CABGA (17x17)

M95M02-DWMN3TP/K

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

Automotive, AEC-Q100

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

2Mb (256K x 8)

메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

10MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

5ms

접근 시간

-

전압-공급

2.5V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SO

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IC FLASH 128M PARALLEL 56TSOP