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PC28F128G18FE

PC28F128G18FE

참조 용

부품 번호 PC28F128G18FE
PNEDA 부품 번호 PC28F128G18FE
설명 IC FLASH 128M PARALLEL 64EASYBGA
제조업체 Micron Technology Inc.
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PC28F128G18FE 리소스

브랜드 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호PC28F128G18FE
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
PC28F128G18FE, PC28F128G18FE 데이터 시트 (총 페이지: 117, 크기: 1,322.66 KB)
PDFPC28F512G18FE 데이터 시트 표지
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PC28F128G18FE 사양

제조업체Micron Technology Inc.
시리즈StrataFlash™
메모리 유형Non-Volatile
메모리 포맷FLASH
기술FLASH - NOR
메모리 크기128Mb (8M x 16)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수133MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지96ns
접근 시간96ns
전압-공급1.7V ~ 2V
작동 온도-30°C ~ 85°C (TC)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스64-TBGA
공급자 장치 패키지64-EasyBGA (8x10)

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IDT, Integrated Device Technology

제조업체

IDT, Integrated Device Technology Inc

시리즈

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메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Dual Port, Asynchronous

메모리 크기

128Kb (16K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

15ns

접근 시간

15ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

68-LCC (J-Lead)

공급자 장치 패키지

68-PLCC (24.21x24.21)

DSM2150F5V-12T6

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제조업체

STMicroelectronics

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH

메모리 크기

4Mb (512K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

120ns

전압-공급

3V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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MR0A16AMYS35R

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제조업체

Everspin Technologies Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

RAM

기술

MRAM (Magnetoresistive RAM)

메모리 크기

1Mb (64K x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

35ns

접근 시간

35ns

전압-공급

3V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

공급자 장치 패키지

44-TSOP2

7025L25J8

IDT, Integrated Device Technology

제조업체

IDT, Integrated Device Technology Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Dual Port, Asynchronous

메모리 크기

128Kb (8K x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

25ns

접근 시간

25ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

84-LCC (J-Lead)

공급자 장치 패키지

84-PLCC (29.21x29.21)

MT47H32M16CC-3E:B TR

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - DDR2

메모리 크기

512Mb (32M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

333MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

15ns

접근 시간

450ps

전압-공급

1.7V ~ 1.9V

작동 온도

0°C ~ 85°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

84-TFBGA

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