NX7002BKXBZ
참조 용
| 부품 번호 | NX7002BKXBZ |
| PNEDA 부품 번호 | NX7002BKXBZ |
| 설명 | MOSFET 2N-CH 60V 0.26A 6DFN |
| 제조업체 | Nexperia |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 7,218 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 6월 14 - 6월 19 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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NX7002BKXBZ 리소스
| 브랜드 | Nexperia |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | NX7002BKXBZ |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
| 데이터 시트 |
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NX7002BKXBZ 사양
| 제조업체 | Nexperia USA Inc. |
| 시리즈 | - |
| FET 유형 | 2 N-Channel (Dual) |
| FET 기능 | Logic Level Gate |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 60V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 260mA |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 2.8Ohm @ 200mA, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 2.1V @ 250µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 1nC @ 10V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 23.6pF @ 10V |
| 전력-최대 | 285mW |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 6-XFDFN Exposed Pad |
| 공급자 장치 패키지 | DFN1010B-6 |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 6.2A Rds On (최대) @ Id, Vgs 22mOhm @ 7A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 1.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 17nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 630pF @ 16V 전력-최대 1.39W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 공급자 장치 패키지 8-TSSOP |
제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 - FET 유형 2 N Channel (Phase Leg) FET 기능 Silicon Carbide (SiC) 드레인-소스 전압 (Vdss) 1200V (1.2kV) 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 220A (Tc) Rds On (최대) @ Id, Vgs 12mOhm @ 150A, 20V Vgs (th) (최대) @ Id 2.4V @ 30mA (Typ) 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 483nC @ 20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 8400pF @ 1000V 전력-최대 925W 작동 온도 -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Chassis Mount 패키지 / 케이스 SP3 공급자 장치 패키지 SP3 |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 PowerTrench® FET 유형 2 P-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 7A Rds On (최대) @ Id, Vgs 23mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 21nC @ 5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1233pF @ 15V 전력-최대 900mW 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SOIC |
제조업체 Vishay Siliconix 시리즈 TrenchFET® FET 유형 2 P-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 12V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 6A Rds On (최대) @ Id, Vgs 64mOhm @ 3.6A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 15nC @ 8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 460pF @ 6V 전력-최대 8.3W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 PowerPAK® ChipFET™ Dual 공급자 장치 패키지 PowerPAK® ChipFet Dual |
제조업체 Cree/Wolfspeed 시리즈 Z-Rec® FET 유형 2 N-Channel (Half Bridge) FET 기능 Silicon Carbide (SiC) 드레인-소스 전압 (Vdss) 1700V (1.7kV) 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 325A (Tc) Rds On (최대) @ Id, Vgs 10mOhm @ 225A, 20V Vgs (th) (최대) @ Id 2.3V @ 15mA (Typ) 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 1076nC @ 20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 20000pF @ 1000V 전력-최대 1760W 작동 온도 -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Chassis Mount 패키지 / 케이스 Module 공급자 장치 패키지 Module |
