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NX7002BKXBZ

NX7002BKXBZ

참조 용

부품 번호 NX7002BKXBZ
PNEDA 부품 번호 NX7002BKXBZ
설명 MOSFET 2N-CH 60V 0.26A 6DFN
제조업체 Nexperia
단가 견적 요청
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창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

NX7002BKXBZ 리소스

브랜드 Nexperia
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호NX7002BKXBZ
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
NX7002BKXBZ, NX7002BKXBZ 데이터 시트 (총 페이지: 17, 크기: 737.47 KB)
PDFNX7002BKXBZ 데이터 시트 표지
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NX7002BKXBZ 사양

제조업체Nexperia USA Inc.
시리즈-
FET 유형2 N-Channel (Dual)
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)260mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs2.8Ohm @ 200mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id2.1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs1nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds23.6pF @ 10V
전력-최대285mW
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스6-XFDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지DFN1010B-6

관심을 가질만한 제품

IRF7316GTRPBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

HEXFET®

FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4.9A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

58mOhm @ 4.9A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

34nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

710pF @ 25V

전력-최대

2W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SO

CAS300M17BM2

Cree/Wolfspeed

제조업체

Cree/Wolfspeed

시리즈

Z-Rec®

FET 유형

2 N-Channel (Half Bridge)

FET 기능

Silicon Carbide (SiC)

드레인-소스 전압 (Vdss)

1700V (1.7kV)

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

325A (Tc)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

10mOhm @ 225A, 20V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.3V @ 15mA (Typ)

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

1076nC @ 20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

20000pF @ 1000V

전력-최대

1760W

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

CAS325M12HM2

Cree/Wolfspeed

제조업체

Cree/Wolfspeed

시리즈

Z-REC™

FET 유형

2 N-Channel (Half Bridge)

FET 기능

Silicon Carbide (SiC)

드레인-소스 전압 (Vdss)

1200V (1.2kV)

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

444A (Tc)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

4.3mOhm @ 400A, 20V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 105mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

1127nC @ 20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

3000W

작동 온도

175°C (TJ)

장착 유형

-

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

NTQD6968NR2

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

6.2A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

22mOhm @ 7A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

17nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

630pF @ 16V

전력-최대

1.39W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

공급자 장치 패키지

8-TSSOP

AO6802

Alpha & Omega Semiconductor

제조업체

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3.5A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

50mOhm @ 3.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

5nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

210pF @ 15V

전력-최대

1.15W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-74, SOT-457

공급자 장치 패키지

6-TSOP

최근 판매

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SI1865DDL-T1-GE3

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564R60GAT22

564R60GAT22

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CAP CER 220PF 6KV X5F RADIAL

PI5USB2544ZHEX

PI5USB2544ZHEX

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IC USB CNTRL DETECT SWTCH 16TQFN

REF195GSZ

REF195GSZ

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IC VREF SERIES 5V 8SOIC

TLJT107M010R0900

TLJT107M010R0900

CAP TANT 100UF 20% 10V 1411