NX3008NBKSH
참조 용
| 부품 번호 | NX3008NBKSH |
| PNEDA 부품 번호 | NX3008NBKSH |
| 설명 | MOSFET 2 N-CH 30V 350MA 6TSSOP |
| 제조업체 | Nexperia |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 24,678 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 7월 24 - 7월 29 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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NX3008NBKSH 리소스
| 브랜드 | Nexperia |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | NX3008NBKSH |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
| 데이터 시트 |
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NX3008NBKSH 사양
| 제조업체 | Nexperia USA Inc. |
| 시리즈 | Automotive, AEC-Q101 |
| FET 유형 | 2 N-Channel (Dual) |
| FET 기능 | Standard |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 30V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 350mA (Ta) |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 1.4Ohm @ 350mA, 4.5V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 1.1V @ 250µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 0.68nC @ 4.5V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 50pF @ 15V |
| 전력-최대 | 445mW |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| 공급자 장치 패키지 | 6-TSSOP |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 ON Semiconductor 시리즈 * FET 유형 - FET 기능 - 드레인-소스 전압 (Vdss) - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) - Rds On (최대) @ Id, Vgs - Vgs (th) (최대) @ Id - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds - 전력-최대 - 작동 온도 - 장착 유형 - 패키지 / 케이스 - 공급자 장치 패키지 - |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 7.4A Rds On (최대) @ Id, Vgs 25mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 17nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 785pF @ 20V 전력-최대 2.1W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SOIC |
제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 - FET 유형 4 N-Channel (H-Bridge) FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 39A Rds On (최대) @ Id, Vgs 70mOhm @ 39A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 3.9V @ 2.7mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 259nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 7000pF @ 25V 전력-최대 250W 작동 온도 -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Chassis Mount 패키지 / 케이스 SP3 공급자 장치 패키지 SP3 |
제조업체 Alpha & Omega Semiconductor Inc. 시리즈 SRFET™ FET 유형 2 N-Channel (Half Bridge) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 22A, 30A Rds On (최대) @ Id, Vgs 5.2mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 22nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1037pF @ 15V 전력-최대 3.6W, 4.3W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-PowerVDFN 공급자 장치 패키지 8-DFN (5x6) |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - FET 유형 N and P-Channel FET 기능 Logic Level Gate, 4V Drive 드레인-소스 전압 (Vdss) 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 2A Rds On (최대) @ Id, Vgs 225mOhm @ 2A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 10nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 490pF @ 10V 전력-최대 1.8W 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SOIC |
